Fabrication < Fabrication property relation < Fabrication structure relation

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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 25.
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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000213 (2011)		High-surface-quality nanocrystalline InN layers deposited on GaN templates by RF sputtering
000273 (2010)		Recent advances in the MOVPE growth of indium nitride
000357 (2010)		Annealing effect on the physical properties of evaporated In2S3 films
000850 (2006)		Comparative investigation of solar cell thin film processing using nanosecond and femtosecond lasers
000C90 (2003)		Studies of buried interfaces Cu(In, Ga)Se2/CdS XPS and electrical investigations
000D12 (2003)		Plasma-assisted MBE growth of quaternary InAlGaN quantum well heterostructures with room temperature luminescence
000F08 (2002)		Study of low temperature elaborated tailored optical band gap β-In2S3-3xO3x thin films
000F17 (2002)		Structural electrical and optical properties of undoped and indium doped ZnO thin films prepared by the pyrosol process at different temperatures
001088 (2001-07)		Dépôts de nitrure de silicium assistés par plasma à couplage inductif ICP-PECVD. Application à la passivation du transistor à haute mobilité électronique GaInAs/InP
001208 (2001)		MBE growth of room-temperature InAsSb mid-infrared detectors
001525 (1999-10)		Réalisation de structures métal/isolant/semi-conducteur. Etude par spectroscopies électroniques et caractérisations électriques
001698 (1999)		Molecular beam epitaxy growth of nitride materials
001813 (1998-11)		Epitaxie par jets moléculaires de GaN, AlN, InN et leurs alliages : physique de la croissance et réalisation de nanostructures
001924 (1998)		Surface spinodal decomposition in low temperature Al048In052As grown on InP(001) by molecular beam epitaxy
001A23 (1998)		Composition study of high temperature sputtered amorphous GaxAs1-x films
001A89 (1997-09)		Relations entre frittage et propriétés de matériaux à base d'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO)
001D53 (1996-10)		Contribution à l'étude des propriétés électroniques de puits quantiques contraints InAs/InP et non contraints Ga0,47 In0,53 As/InP par mesures capacitives statiques et dynamiques
001D91 (1996-06)		Réalisation et caractérisation de couches minces de séléniures d'indium amorphes et polycristallines. Première application au domaine photovoltaïque
001F27 (1996)		In situ XPS investigation of indium surface segregation for Ga1-xInxAs and Al1-xInxAs alloys grown by MBE on InP(001)
001F28 (1996)		Improved stability of C-doped GaAs grown by chemical beam epitaxy for heterojunction bipolar transistor applications
001F56 (1996)		Electrical characteristics of GaIn(As)Sb layers grown by metal organic vapor phase epitaxy

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