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Index « Keywords » - entrée « Equivalent circuit »
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List of bibliographic references

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Ident.Authors (with country if any)Title
000063 (2013) Electrochemical analysis of a PPV derivative thin film doped with β-ketoimine calix[4]arene in the dark and under illumination for the detection of Hg2+ ions
000124 (2012) Impedance spectrometry of optimized standard and inverted P3HT-PCBM organic solar cells
000211 (2011) Improved External Base Resistance Extraction for Submicrometer InP/InGaAs DHBT Models
000604 (2008) An analytic procedure for extraction of metallic collector-up InP/InGaAsP/InGaAs HBT small signal equivalent circuit parameters
000674 (2007) Impedance spectroscopic investigations of ITO modified by new Zzo-calix[4]arene immobilised into electroconducting polymer (MEHPPV)
000791 (2006) On the simulation of low-frequency noise upconversion in InGaP/GaAs HBTs
001793 (1998-12) «SIMULATION MONTE-CARLO EN REGIMES STATIQUE ET DYNAMIQUE DE HEMT DE LA FILIERE InP»
001853 (1998-07) CARACTERISATION ET BRUIT DE FOND DE TRANSISTORS BIPOLAIRES
001A55 (1997-12) MODÉLISATION DU BRUIT D'INTENSITÉ DES LASERS InGaAsP ÉTUDE DE LA TRANSLATION DU BRUIT BASSE FRÉQUENCE DANS LA BANDE DU SIGNAL DE MODULATION
001A59 (1997-12) Caractérisation et modélisation petit signal et en bruit des transistors bipolaires à hétérojonction aux fréquences micro-ondes
001B08 (1997-07) Caractérisation et modélisation électrique du bruit hyperfréquence dans les structures bipolaires à hétérojonctions GaInP/GaAs et BiCMOS Silicium
001B64 (1997) Modélisation du RIN des diodes laser InGaAsP : Circuit équivalent microonde
001B70 (1997) Etude de la détermination de schémas équivalents de transistors sur InP pour la conception d'amplificateurs de puissance à 60 GHz
001D62 (1996-09) Caractérisation des dispositifs hyperfréquences: schéma équivalent, facteur de bruit et impédance optimale de bruit
002172 (1995) High optical power nonlinear dynamic response of AlInAs/GaInAs MSM photodiode
002278 (1994-06) Transistors à effet de champ à hétérojonction à grille submicrométrique: modélisation des performances limites et comparaison avec les mesures
002335 (1994) Le transistor bipolaire à hétérojonction GaInP/GaAs. Technologie et performances hyperfréquences
002845 (1992) Microwave analysis of AlGaAs/InGaAs HEMT using Monte Carlo simulation
002D93 (1988) Heat treatment of amorphous electrochromic WO3 thin films deposited onto indium-tin oxide substrates

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i -k "Equivalent circuit" 
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i  \
                -Sk "Equivalent circuit" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/biblio.hfd 

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{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    France
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    KwdEn.i
   |clé=    Equivalent circuit
}}

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