Epitaxial transistor < Epitaxy < Epithelial cell

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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 211.
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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000045 (2013)		Micro-characterization and three dimensional modeling of very large waveguide arrays by selective area growth for photonic integrated circuits
000106 (2012)		Phase Selection Enabled Formation of Abrupt Axial Heterojunctions in Branched Oxide Nanowires
000174 (2011)		Structural analysis of site-controlled InAs/InP quantum dots
000236 (2011)		Direct epitaxial growth of InP based heterostructures on SrTiO3/Si(0 0 1) crystalline templates
000272 (2010)		Reliability of high voltage/high power L/S-band Hbt technology
000321 (2010)		Epitaxial MOVPE growth of highly c-axis oriented InGaN/GaN films on ZnO- buffered Si (111) substrates
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000D99 (2003)		Beam filamentation and maximum optical power in high brightness tapered lasers
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001367 (2000)		Wet treatment based interface engineering for high efficiency Cu(In, Ga)Se2 solar cells
001419 (2000)		Monolayer coverage effects on size and ordering of self-organized InAs islands grown on (1 13)B InP substrates
001479 (2000)		Cadmium-free buffer layers deposited by atomic later epitaxy for copper indium diselenide solar cells
001506 (1999-12)		Instabilité de croissance dans les couches épitaxiées contraintes. Etude par microscopie à effet tunnel du système In1-xGaxAs / InP (001)
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001622 (1999)		Les super-réseaux de monocouches fractionnaires (InAs)n/(GaAs)0.26 épitaxiés sur InP par EJMSS pour les applications dans la gamme spectrale 2-2.5μm
001624 (1999)		HEMTS métamorphiques à hétérojonction InxAl1-xAs/InxGa1-xAs sur substrat gaas : Influence du taux d'indium x
001706 (1999)		Local stress in highly strained coherent InGaAs islands
001796 (1998-12)		ELABORATION D'HETEROSTRUCTURES A BASE D'ANTIMONIURES. ETUDE ET OPTIMISATION DE LA FORMATION DES INTERFACES InAs/GaSb ET GaSb/InAs

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