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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Ellipsometry »
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List of bibliographic references

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Ident.Authors (with country if any)Title
000133 (2012) Dielectric properties of pulsed-laser deposited indium tin oxide thin films
000634 (2007) Polypyrrole films functionalized with pendant titanocene dichloride complexes : Ellipsometric study of the electropolymerization process
001296 (2000-12) SPECTROSCOPIE OPTIQUE DE COUCHES MASSIVES DE GaN ET D'HETEROSTRUCTURES (In,Ga)N/GaN
001496 (1999-12-15) Optical properties of the quaternary alloy system Culn(SxSe1-x)2 investigated by spectroscopic ellipsometry
001794 (1998-12) Ellipsométrie spectroscopique ex situ à plusieurs angles d'incidence : caractérisation de couches massives et de structures multicouches
001A10 (1998) Ellipsometric characterisation of ordered Ga0.5In0.5P
001C20 (1997) Preparation of boron nitride thin films by microwave plasma enhanced CVD, for semiconductor applications
001D47 (1996-10) Propriétés des couches minces de silicium poreux et d'alumine utilisées pour la microélectronique. Etude par spectroscopies électroniques, ellipsométrie laser et caractérisations électriques C(V)
002045 (1995-06-15) Acoustical and optical properties of Ga0.52In0.48P: A Brillouin scattering study
002366 (1994) Plasma enhanced chemical vapour deposition of boron nitride onto InP
002370 (1994) Optical characterization of chemical beam epitaxy grown Ga0.52In0.48P layers and related microstructures
002462 (1993-12) Contribution à la caractérisation de substrats nus et différemment oxydés de semiconducteurs III-V par ellipsométrie spectroscopique à modulation de phase
002527 (1993) Transport processes in Au/n-InP and Au/oxide/n-InP devices treated in oxygen multipolar plasma
002643 (1993) Influence of pressure on nitrogen incorporation in ultraviolet chemical vapor deposited SiO2 films
002651 (1993) In situ studies of the anodic oxidation of indium phosphide
002935 (1992) A real time study of the growth of microcrystalline silicon on transparent conducting oxide substrates
002A78 (1990) Silice UVCVD pour transistors MISFET autoalignés sur InP
002B86 (1990) Chemical and structural analysis by ellipsometry and x-ray reflectometry of thin sulfide layers grown on InP
002C07 (1989) Recuits, dans un réacteur d'épitaxie, de substrats InP sous atmosphère dePH3, AsH3 ou chlorure d'indium, suivis in situ par ellipsométrie
002C65 (1989) In situ investigation of the optoelectronic properties of transparent conducting oxide/amorphous silicon interfaces
002D63 (1988) Optical properties of native oxides on InP

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