Electrooptical mixing < Electrooptical modulator < Electrooptical properties

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000592 (2008)		Compact Optical Modulator based on Carrier Induced Gain of an InP/InGaAsP Micro-disk Cavity Integrated on SOI
001875 (1998-04)		ETUDE DES MODES DE CROISSANCE ET DES MECANISMES DE RELAXATION DES COUCHES InxGa1-xAs (x < 0,53) CONTRAINTES EN TENSION SUR InP : APPLICATION DANS LA REALISATION D'HETEROSTRUCTURES POUR COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES
001A79 (1997-10)		Etude et conception d'un modulateur électro-absorbant basé sur des puits quantiques de type II dans le système contraint In0.3Ga0.7As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As sur substrat InP
001B53 (1997-01)		MISE EN OEUVRE D'UNE METHODE DE CONCEPTION DE CIRCUITS ET MODULES A BASE DE TRANSISTORS RIPOLAIRES A HETEROJONCTION APPLIQUEE A DES CIRCUITS A 20 GBITS/S
001C21 (1997)		Potential-inserted InGaAs-AlGaInAs shallow quantum wells for electro-optical modulation at 1.55 μm
002068 (1995-03)		Etude de faisabilité de modulateurs électroabsorbants en onde guidée insensibles à la polarisation
002144 (1995)		Monolithic integration on InP of a Wannier Stark modulator with a strained MQW DFB 1.55-μm laser
002340 (1994)		Very simple approach for high performance DFB laser-electroabsorption modulator monolithic integration
002375 (1994)		Monolithic integration of multiple quantum well DFB lasers and electroabsorption modulators
002401 (1994)		High FM bandwidth of DBR laser including butt-jointed electro-optical wavelength tuning sections
002410 (1994)		Experimental optimisation of MQW electroabsorption modulators with up to 40 GHz bandwidths
002505 (1993-01)		Cristallogenèse et caractérisations physico-chimique et optiques des matériaux semiconducteurs AIn2Te4 (A=Cd, Zn et Mn). Leurs potentialités comme modulateurs dans la bande spectrale 1,06-10,6 micromètres
002506 (1993-01)		Conception, réalisation et caractérisation d'un modulateur de polarisation intégré sur substrat InP (110): application aux télécommunications optiques
002811 (1992)		Single frequency electrooptical tuning of an extended cavity diode laser at 1500 nm wavelength
002860 (1992)		Interest in AlGalnAs on InP for optoelectronic applications
002883 (1992)		High-speed InGaAsP/InGaAsP MQW electroabsorption modulator with high optical power handling capacity
002884 (1992)		High-frequency operation of very low voltage, 1.55μm single-mode optical waveguide modulator based on wannier-stark localization
002A49 (1991)		Efficient electroabsorption on InGaAsP/InGaAsP MQW optical waveguide
002A83 (1990)		Modulateurs électrooptiques à faible perte dans InGaAsP/InP
002B06 (1990)		Strained-layer InGaAs/InAlAs multiple quantum wells for efficient optical waveguide modulation at 1.55 μm
002E09 (1988)		Electro-optical modulators using novel buried waveguides in GaInAsP/InP material

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