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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Electron transport properties »
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Electron transitions < Electron transport properties < Electron traps  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 5.
Ident.Authors (with country if any)Title
000E91 (2002) fmax of 490 GHz metamorphic In0.52Al0.48As/In0.53Ga 0.47As HEMTs on GaAs substrate
001634 (1999) Triple channel HEMT on InP (Camel HEMT) for large-signal high-speed applications
001715 (1999) Influence on power performances at 60 GHz of indium composition in metamorphic HEMTs
001787 (1999) 0.1 μm high performance metamorphic In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As HEMT on GaAs using inverse step InAlAs buffer
001788 (1999) 0.1 μm (Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P/In0.2Ga0.8As/GaAs PHEMT grown by gas source molecular beam epitaxy

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis

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