Keywords
Analysis
France
Racine
Analysis
France
Repository
Accueil
Racine
Racine

Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Electron beam lithography »
Attention, ce site est en cours de développement !
Attention, site généré par des moyens informatiques à partir de corpus bruts.
Les informations ne sont donc pas validées.
Electron beam evaporation < Electron beam lithography < Electron beams  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 18.
Ident.Authors (with country if any)Title
000011 (2013) Towards an Integrated Mode-Locked Microlaser Based on Two-Dimensional Photonic Crystals and Graphene
000012 (2013) Towards a monolithically integrated III-V laser on silicon: optimization of multi-quantum well growth on InP on Si
000132 (2012) E-beam nano-patterning for the ordered growth of GaN/InGaN nanorods
000312 (2010) High-index-contrast subwavelength grating VCSEL
000960 (2005) Grating enhanced MOEMS : a novel class of beam steering devices
000A07 (2005) Conducting polymer electrochemical switching as an easy means for designing active plasmonic devices
000A44 (2004-03-01) Fabrication of low loss two-dimensional InP photonic crystals by inductively coupled plasma etching
000B56 (2004) Electron-beam-induced reactivation of Si dopants in hydrogenated two-dimensional AlGaAs heterostructures: a possible new route for III-V nanostructure fabrication
000C11 (2003-11) 3D structuring of multilayer suspended membranes including 2D photonic crystal structures
001321 (2000-09) Elaboration et caractérisation physique par microscopies à champ proche de nanostructures semi-conductrices
001595 (1999-02) Etude de la technologie et des potentialités pour l'amplification de puissance hyperfréquence des transistors à effet de champ des filières phosphure AlGaInP/GaInAs et métamorphique AlInAs/GaInAs sur substrat GaAs
001756 (1999) Damage characterization of anisotropic InP patterns obtained by SiCl4 Reactive Ion Etching
001798 (1998-12) Conception, réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ à hétérojonction sur substrat d'InP pour circuits intégrés coplanaires en bandes V et W
001814 (1998-11) Conception et réalisation de transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrat InP. Application à l'amplification faible bruit en ondes millimétriques
001B33 (1997-05) Anisotropic etching of InP with low sidewall and surface induced damage in inductively coupled plasma etching using SiCl4
001F81 (1996) A 0.10 μm NMOSFET, made by hybrid lithography (e-beam/DUV), with indium pocket and specific gate reoxidation process
002427 (1994) Deep etched InGaAs/InP quantum dots with strong lateral confinement effects
002B25 (1990) Optical properties of As-etched and regrown InP/InGaAs quantum wires and dots

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis

HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i -k "Electron beam lithography" 

HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i  \
                -Sk "Electron beam lithography" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/biblio.hfd

Pour mettre un lien sur cette page dans le réseau Wicri

{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    France
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    KwdEn.i
   |clé=    Electron beam lithography
}}
Wicri

This area was generated with Dilib version V0.5.77.
Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024