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Number of relevant bibliographic references: 23.
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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000098 (2012)		Spectroelectrochemical Characterization of Small Hemoproteins Adsorbed within Nanostructured Mesoporous ITO Electrodes
000202 (2011)		Localized surface plasmon resonance interfaces coated with poly[3-(pyrrolyl) carboxylic acid] for histidine-tagged peptide sensing
000516 (2008)		Preparation and optical absorption of electrodeposited or sputtered, dense or porous nanocrystalline CuInS2 thin films
000B22 (2004)		Low-loss InGaAsP/InP submicron optical waveguides fabricated by ICP etching
001401 (2000)		Preparation and characterization of nanometre-size InSb particles
001861 (1998-06)		Réalisation et Caractérisations Optoélectroniques de Diodes Electroluminescentes à base de Polymères Electroactifs et de Matériaux Moléculaires Déposés avec l'Assistance d'un Faisceau d'Ions
001B86 (1997)		UV-deposited silicon nitride coupled with XeF2 surface cleaning for III-V optoelectronic device passivation
001E16 (1996-04)		Réalisation de guides d'ondes optiques par dépôts photochimiques de multicouches diélectriques sur InP
001F58 (1996)		Effects of the electron beam on InP(100)
002216 (1995)		A new photovoltaic effect from CuInSe2 (or related materials)/SnO2 structures
002486 (1993-07)		Dépôt, par pulvérisation cathodique R.F. de couches minces d'arséniure de gallium amorphe à haute température (600°C) et mise en évidence d'une possibilité d'autodopage
002546 (1993)		Structural and electrical characterizations of Ag-InP(100) interfaces stabilized by antimony
002564 (1993)		Sb-induced surface stabilization of InP(100) wafer beyond 500°C
002580 (1993)		Physical properties of sputtered germanium-doped indium tin oxide films (ITO:GE) obtained at low deposition temperature
002786 (1992)		Dépôts de nitrure de silicium et de silice par méthode photochimique. Passivation de la surface d'InP par (NH4)2Sx. Application au MISFET-InP
002787 (1992)		Dépôt de SiO2 par plasma microonde à Résonance Cyclotronique Electronique Répartie (RCER). Application à l'étude de structures SiO2/InP
002B98 (1990)		A combination of rapid thermal processing and photochemical deposition for the growth of SiO2 suitable for InP device applications
002D17 (1988)		Croissance de Si3N4 sur GaAs et InP par pulvérisation réactive par faisceau d'ions
002D35 (1988)		The effect of the plasma characteristics upon electrical properties of InP oxide obtained in an oxygen plasma
002D75 (1988)		Low-pressure photochemical vapour deposition of silicon dioxide on InP substrates
002E43 (1987)		Protection contre la photocorrosion de la surface de GaAs-n par dépôt d'un film mince d'oxyde

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