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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Crystallinity »
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Crystalline structure < Crystallinity < Crystallites  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 18.
Ident.Authors (with country if any)Title
000147 (2011) Tuning the structural properties of InAs nanocrystals grown by molecular beam epitaxy on silicon dioxide
000164 (2011) Synthesis of Cu(In,Ga)Se2 absorber using one-step electrodeposition of Cu-In-Ga precursor
000260 (2010) The structure of InAlN/GaN heterostructures for high electron mobility transistors
000302 (2010) Investigation of InN layers grown by molecular beam epitaxy on GaN templates
000357 (2010) Annealing effect on the physical properties of evaporated In2S3 films
000435 (2009) Influence of secondary phases during annealing on re-crystallization of CuInSe2 electrodeposited films
000466 (2009) Crystal growth and characterization of two-leg spin ladder compounds: Sr14Cu24O41 and Sr2Ca12CU24O41
000695 (2007) Effect of S/In concentration ratio on the physical properties of AgInS2-sprayed thin films
001173 (2001) Physico-chemical characterization of spray-deposited CuInS2thin films
001383 (2000) Structural and electronic properties of poly(meta/para phenylene)
001758 (1999) Crystallization of In2Se3 semiconductor thin films by post-deposition heat treatment. Thickness and substrate effects
001962 (1998) Optical properties of InS layers deposited using an airless spray technique
001A02 (1998) Growth and characterization of zinc sulfide thin films deposited by the successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method using complexed zinc ions as the cation precursor
001B72 (1997) Effet de la température de fabrication sur les propriétés structurales et morphologiques des couches épaisses de In2S3 "spray"
002505 (1993-01) Cristallogenèse et caractérisations physico-chimique et optiques des matériaux semiconducteurs AIn2Te4 (A=Cd, Zn et Mn). Leurs potentialités comme modulateurs dans la bande spectrale 1,06-10,6 micromètres
002680 (1993) Epitaxy of layered semiconductor thin films
002780 (1992) Propriétés électriques et optiques de couches minces de ZnO et ZnO dopé à l'indium, obtenues par le procédé Pyrosol
002D95 (1988) Growth and characterization of AlGaInAs lattice matched to InP grown by molecular-beam epitaxy

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