Chemical treatment < Chemical vapor deposition < Chemisorption

Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 86.
[0-20] [0 - 20][0 - 50][20-40]

Ident.	Authors (with country if any)	Title
000143 (2012)		480-GHz fmax in InP/GaAsSb/InP DHBT With New Base Isolation μ-Airbridge Design
000306 (2010)		Influence of anode roughness and buffer layer nature on organic solar cells performance
000861 (2006)		Admittance spectroscopy of cadmium free GIGS solar cells heterointerfaces
000A19 (2005)		Alumina-rich spinel : A new substrate for the growth of high quality GaN-based light-emitting diodes
000B29 (2004)		Large-area Cd-free CIGS solar modules with In2S3buffer layer deposited by ALCVD
000D57 (2003)		High-efficiency copper indium gallium diselenide (CIGS) solar cells with indium sulfide buffer layers deposited by atomic layer chemical vapor deposition (ALCVD)
000D96 (2003)		Cd-free Cu(In, Ga)Se2 thin-film solar modules with In2S3 buffer layer by ALCVD
001016 (2002)		Fabrication and study of photovoltaic material CuInxGa1-xSe2 bulk and thin films obtained by the technique of close-spaced vapor transport
001438 (2000)		Improved bias-thermal-stress method for the insulator charge measurement of BN/InP MIS structures
001868 (1998-05)		Dépôts de films minces SiNx assistés par plasma de haute densité. Etudes corrélées de la phase gazeuse, de l'interface SiNx/InP et de la passivation du transistor bipolaire à hétérojonction InP
001A56 (1997-12)		MISE EN OEUVRE DE DIFFERENTS PROCESSUS DE DEPOTS MOCVD POUR LA CROISSANCE DU MATERIAU PHOTOVOLTAIQUE CUINSE2
001B09 (1997-07)		CONTRIBUTION A L'AMELIORATION DE METHODES DE CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE STRUCTURES MIS (Au/BN/InP) ET MOS
001B24 (1997-06)		Passivation des semi-conducteurs III-V à base d'InP avec un procédé intégré incluant un plasma DECR d'ammoniac et un dépôt photochimique de nitrure de silicium
001E92 (1996)		Photodetection at 3.65 μm in the atmospheric window using InAs0.91Sb0.09/GaAs heteroepitaxy
002061 (1995-04)		Caractérisation électrique et optique de couches de GaAs hétéroépitaxiées sur InP et analyse des dispositifs MESFETs fabriqués sur ces couches
002146 (1995)		Monolithic integration of InGaAsP-InP strained-layer distributed feedback laser and external modulator by selective quantum-well interdiffusion
002171 (1995)		High temperature characteristics T0 and low threshold current density of 1.3μm InAsP/InGaP/InP compensated strain multiquantum well structure lasers
002251 (1994-10)		Dépôt par MOCVD de couches minces de CuInSe2 pour la conversion photovoltaïque de l'énergie solaire
002319 (1994-01-31)		Epitaxial growth of cadmium sulfide layers on indium phosphide from aqueous ammonia solutions
002337 (1994)		Croissance LP-MOCVD de structures transistor bipolaire à hétérojonction GaInP/GaAs
002340 (1994)		Very simple approach for high performance DFB laser-electroabsorption modulator monolithic integration

---

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis

HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i -k "Chemical vapor deposition" 

HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i  \
                -Sk "Chemical vapor deposition" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/biblio.hfd 

Pour mettre un lien sur cette page dans le réseau Wicri

{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    France
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    KwdEn.i
   |clé=    Chemical vapor deposition
}}

---

This area was generated with Dilib version V0.5.77. Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024