Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Charge carrier concentration »
Attention, ce site est en cours de développement !
Attention, site généré par des moyens informatiques à partir de corpus bruts.
Les informations ne sont donc pas validées.
Charge carrier < Charge carrier concentration < Charge carrier density  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 64.
[0-20] [0 - 20][0 - 50][20-40]
Ident.Authors (with country if any)Title
001469 (2000) CuInS2 thin films for solar cell applications
001929 (1998) Structural studies of tin-doped indium oxide (ITO) and In4Sn3O12
001F28 (1996) Improved stability of C-doped GaAs grown by chemical beam epitaxy for heterojunction bipolar transistor applications
002379 (1994) Magneto-transport investigation of Si-doped n+ Al0.48In0.52As : observation of the DX centre
002623 (1993) Mapping of dopant concentrations in photorefractive InP : Fe wafers : Physique du traitement des faisceaux lumineux et des images
002648 (1993) Indium doping of (001), (111) and (211) CdTe layers grown by molecular beam epitaxy
002655 (1993) Highly thermally stable electrical compensation in oxygen implanted p-InAlAs
002663 (1993) Growth and characterization of n-type (Te) doped metal organic vapor phase epitaxy GaInSb
002688 (1993) Electron paramagnetic resonance study of the two-dimensional electron gas in Ga1-xAIxSb/InAs single quantum wells
002691 (1993) Electrical properties of P-rich InP grown by gas source MBE
002705 (1993) Diffusion of Zn across p-n junctions in Ga0.47In0.53As
002728 (1993) Characterization of Cu(Ga,In)Se2 thin films and heterojunctions growth by close-spaced vapour transport
002730 (1993) Carbon doping of GaxIn1-xAs by atmospheric pressure organometallic vapour phase epitaxy
002756 (1992-11) Contribution à l'étude des défauts DX et EL2 et propriétés de transport dans les structures à plan de dopage GaInAs, GaAs et dans les hétérojonctions InGaAs/AlGaAs, GaInP/GaAs
002779 (1992) Sur des propriétés des surfaces de quelques semiconducteurs III-V déduites de mesures de photovoltage
002780 (1992) Propriétés électriques et optiques de couches minces de ZnO et ZnO dopé à l'indium, obtenues par le procédé Pyrosol
002794 (1992) Transport properties of copper-doped indium oxide and indium tin oxide ceramics
002818 (1992) Properties of CuInS2 thin films prepared by spray pyrolysis
002871 (1992) Indium doping of CdTe and Cd1-xZnxTe by molecular-beam epitaxy : uniformly and planar-doped layers, quantum wells, and superlattices
002874 (1992) InGaSb/GaSb photodiodes growth by MOVPE
002905 (1992) Electrical properties of pure In2O3 and Sn-doped In2O3 single crystals and ceramics

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i -k "Charge carrier concentration" 
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i  \
                -Sk "Charge carrier concentration" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/biblio.hfd 

Pour mettre un lien sur cette page dans le réseau Wicri

{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    France
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    KwdEn.i
   |clé=    Charge carrier concentration
}}

Wicri

This area was generated with Dilib version V0.5.77.
Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024