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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Bipolar transistors »
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Bipolar transistor < Bipolar transistors < Bipyridines  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 10.
Ident.Authors (with country if any)Title
000666 (2007) MBE growth of heavily carbon doped GaAsSb on InP for heterojunction bipolar transistor applications
000A13 (2005) CBr4 and be heavily doped InGaAs grown in a production MBE system
000D01 (2003) Simple and accurate method to extract intrinsic and extrinsic base-collector capacitance of bipolar transistors
001030 (2002) Design of high-speed master-slave D-type flip-flop in InP DHBT technology
001428 (2000) Investigation of carbon-doped base materials grown by CBE for Al-free InP HBTs
001F28 (1996) Improved stability of C-doped GaAs grown by chemical beam epitaxy for heterojunction bipolar transistor applications
001F71 (1996) Benefits of chemical beam epitaxy for micro and optoelectronic applications
002032 (1995-08-15) Low frequency noise characterization of self-aligned InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors
002067 (1995-03) Etude de nouveaux précurseurs pour l'épitaxie par jets chimiques
002069 (1995-03) Epitaxie localisée par jets chimiques sur substrats GaAs et InP

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