Barrier < Barrier height < Barrier layer

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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 27.
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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000354 (2010)		Band-Gap Determination of the Native Oxide Capping Quantum Dots by Use of Different Kinds of Conductive AFM Probes: Example of InAs/GaAs Quantum Dots
000355 (2010)		Band structure at heterojunction interfaces of GaInP solar cells
000477 (2009)		A comparative study of Schottky barrier height enhancement by realized pseudo-Schottky diodes on p-InP
000733 (2007)		A 200-GHz true E-mode low-noise MHEMT
000795 (2006)		Nitridation of InP(1 0 0) substrates studied by XPS spectroscopy and electrical analysis
000982 (2005)		Electrical properties of doped 3-tetradecylpolypyrrole/metal devices
001064 (2001-11)		Etude et modification des interfaces de diodes électroluminescentes organiques
001237 (2001)		Highly NO2 sensitive pseudo Schottky barrier diodes on p-type InP with improved electrical characteristics
001935 (1998)		Stability of sulfur-treated n-InP Schottky structures, studied by current-voltage measurements
001968 (1998)		New γ-In2Se3/TCO (SnO2 or ZnO) thin film rectifying heterojunction
001970 (1998)		Modelization and characterization of Au/InSb/InP Schottky systems as a function of temperature
001C38 (1997)		Metal-n-InP Rectifying properties enhancement with Zn based metallizations and diffusion at moderate annealing temperatures
001C80 (1997)		Electrical conduction in POxNyInZ films deposited on InP
001C82 (1997)		Electrical characteristics of (n)-InP MIS diodes with a POxNy interfacial layer deposited at low temperature
001D52 (1996-10)		Contribution à la caractérisation des diodes Schottky Oxydées: Application au phosphure d'indium
002348 (1994)		Structural investigations of InGaAs/InGaAsSLSs for optoelectronic device applications
002475 (1993-09)		Etude par spectroscopie de photoélectrons de surfaces et interfaces de semi-conducteurs III-V préparées par épitaxie par jets moléculaires: applications à la formation de barrières de Schottky et d'hétérostructures épitaxiées
002656 (1993)		High-resolution energy analysis of field-assisted photoemission : a spectroscopic image of hot-electron transport in semiconductors
002660 (1993)		High barrier height Au/n-type InP Schottky contacts with a POXNyHz interfacial layer
002779 (1992)		Sur des propriétés des surfaces de quelques semiconducteurs III-V déduites de mesures de photovoltage
002785 (1992)		Essais d'accroissement de la barrière du contact métal/InP type n par l'introduction artificielle d'états accepteurs

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