List of bibliographic references
Number of relevant bibliographic references: 61.
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| Ident. | Authors (with country if any) | Title |
|---|
| 000478 (2009) |
| 1060 nm DBR tapered lasers with 12 W output power and a nearly diffraction limited beam quality |
| 000505 (2008) |
| Singlemode 1.1 μm InGaAs Quantum Well microstructured Photonic Crystal VCSEL |
| 000539 (2008) |
| Microstructured Photonic Crystal for Singlemode Long Wavelength VCSELs |
| 001595 (1999-02) |
| Etude de la technologie et des potentialités pour l'amplification de puissance hyperfréquence des transistors à effet de champ des filières phosphure AlGaInP/GaInAs et métamorphique AlInAs/GaInAs sur substrat GaAs |
| 001616 (1999-01) |
| ETUDE DE LA SENSIBILITE A LA TEMPERATURE DE STRUCTURES LASERS ALUMINO-PHOSPHOREES A MULTI-PUITS QUANTIQUES SUR SUBSTRAT INP |
| 001751 (1999) |
| Effect of the T-gate on the performance of recessed HEMTs. A Monte Carlo analysis |
| 001793 (1998-12) |
| «SIMULATION MONTE-CARLO EN REGIMES STATIQUE ET DYNAMIQUE DE HEMT DE LA FILIERE InP» |
| 001798 (1998-12) |
| Conception, réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ à hétérojonction sur substrat d'InP pour circuits intégrés coplanaires en bandes V et W |
| 001809 (1998-11) |
| Étude et réalisation de lasers à cavité verticale antimoniures fonctionnant à 1,55 μm sur InP |
| 001814 (1998-11) |
| Conception et réalisation de transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrat InP. Application à l'amplification faible bruit en ondes millimétriques |
| 001849 (1998-07) |
| PHOTODIODES À AVALANCHE À SUPER-RÉSEAUX AIInAs/AIGaInAs À ÉCLAIRAGE LATÉRAL POUR LES TÉLÉCOMMUNICATIONS À 20 Gbit/s |
| 001852 (1998-07) |
| Caractérisation électrique du quaternaire (Ga0.47 In0.53As)1-x (Al0.48In0.52As)x (x=30%) et Application au transistor HFET pour la photodétection à 1,3-1.55μm. |
| 001867 (1998-05) |
| Etude de la dynamique, de l'émission laser, de l'amplification et de la commutation dans des structures laser à cavité verticale à 1.55μm |
| 001875 (1998-04) |
| ETUDE DES MODES DE CROISSANCE ET DES MECANISMES DE RELAXATION DES COUCHES InxGa1-xAs (x < 0,53) CONTRAINTES EN TENSION SUR InP : APPLICATION DANS LA REALISATION D'HETEROSTRUCTURES POUR COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES |
| 001876 (1998-04) |
| Conception et élaboration comparée de structures III-V (111) piézo-électriques épitaxiées par jets moléculaires, sur substrats nominaux et vicinaux, en vue de leur application pour l'optoélectronique |
| 001889 (1998-02) |
| ETUDE THEORIQUE ET OPTIMISATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE LA FILIERE InP ET DE LA FILIERE GaN |
| 001896 (1998-01) |
| Conception, réalisation et caractérisation de transistors bipolaires de puissance à hétérojonction GaInP/GaAs et comparaison avec les TBH's GaAlAs/GaAs |
| 001984 (1998) |
| Investigation on base surface recombination in Self Passivated GaAlAs/GalnP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor |
| 001990 (1998) |
| InGaAs/InAlAs/AlAs heterostructure barrier varactors for harmonic multiplication |
| 001A00 (1998) |
| HEMTs for low-power and low-frequency noise 4.2 K cryoelectronics : fabrication and characterization |
| 001A29 (1998) |
| Best combination between power density, efficiency, and gain at V-band with an InP-based PHEMT structure |
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