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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « 1/f noise »
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1,3-Dipolar cycloaddition < 1/f noise < 2-deoxy-2-fluoroglucose  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 26.
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Ident.Authors (with country if any)Title
000035 (2013) Numerical simulation and characterization of trapping noise in InGaP-GaAs heterojunctions devices at high injection
000136 (2012) Dark Current and Noise Measurements of an InAs/GaSb Superlattice Photodiode Operating in the Midwave Infrared Domain
000188 (2011) Origin of Low-Frequency Noise in the Low Drain Current Range of Bottom-Gate Amorphous IGZO Thin-Film Transistors
000791 (2006) On the simulation of low-frequency noise upconversion in InGaP/GaAs HBTs
000928 (2005) Monte Carlo calculations of hot-electron transport and diffusion noise in GaN and InN
000936 (2005) Low-frequency noise measurements as an investigation tool of pixel flickering in cooled Hg0.7Cd0.3Te focal plane arrays
000937 (2005) Low-frequency noise characteristics of InGaAs quantum-dot infrared photodetector structures grown by atomic layer molecular-beam epitaxy
000C48 (2003-04-01) Analysis of 1/f noise current sources in InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors
001120 (2001-02-15) Low Frequency Noise of InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors
001795 (1998-12) ETUDE DES EFFETS PARASITES DANS LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION (HFET) SUR SUBSTRAT InP
001831 (1998-09-01) Influence of geometry and passivation on noise in GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors
001853 (1998-07) CARACTERISATION ET BRUIT DE FOND DE TRANSISTORS BIPOLAIRES
001989 (1998) Influence of a base epitaxial regrowth on first order and low frequency noise measurements on GaInP/GaAs HBTs
001B60 (1997) Propriétés en bruit basse fréquence des DHBT's GaInP/GaAs/GaInP
001C96 (1997) Comparison of noise between passivated and unpassivated AlGaAs/GaAs and GaInP/GaAs HBTs
001D32 (1996-12) Caractérisation électrique du matériau AlInAs élaboré par épitaxie par jets moléculaires à basse température
002075 (1995-02) Etude et Réalisation de transistors à effet de champ à canal InP pour l'intégration optoélectronique
002160 (1995) LF excess noise analysis of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs
002258 (1994-09) Caractérisation et modélisation des bruits blancs et 1/F des diodes lasers à semiconducteur
002267 (1994-07) Etude du bruit télégraphique, du courant d'obscurité et des niveaux profonds dans les photodiodes InP/InGaAs/InP en désaccord de maille
002455 (1993-12) Transistors à effet de champ GaAs Mesfet réalisés en désaccord de maille sur InP pour l'intégration micro-optoélectronique à 1,3-1,5 micron

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