IndiumV3, France, Analysis, indexItem, Author.i, T. Leese

T. Le Bihan < T. Leese < T. Lesimple

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Number of relevant bibliographic references: 5.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
000411 (2009)		Optical, structural investigations and band-gap bowing parameter of GaInN alloys
000421 (2009)		MOVPE growth of InN buffer layers on sapphire
000438 (2009)		InN excitonic deformation potentials determined experimentally
000452 (2009)		Growth of InN films and nanostructures by MOVPE
000474 (2009)		Alternative precursors for MOVPE growth of InN and GaN at low temperature

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
5	Indium nitride
5	MOCVD
5	MOVPE method
4	Gallium nitride
4	III-V compound
3	Growth mechanism
3	III-V semiconductors
3	Thin films
3	VPE
2	Photoluminescence
1	Adatoms
1	Ammonia
1	Atomic force microscopy
1	Buffer layer
1	Carbon
1	Carrier density
1	Crystal chemistry
1	Crystal perfection
1	Crystal structure
1	Damage
1	Deformation potential
1	Doping
1	Droplets
1	Electronic properties
1	Energy gap
1	Epitaxial layers
1	Growth rate
1	Halides
1	Heterostructures
1	Indium
1	Lateral growth
1	Line shape
1	Line widths
1	Molecular beam epitaxy
1	Nanostructures
1	Nitridation
1	Operating conditions
1	Organic hydrazine
1	Precursor
1	Recrystallization
1	Sapphire
1	Semiconductor materials
1	Surface states
1	Thick films

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France) Index « Auteurs » - entrée « T. Leese »
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