IndiumV3, France, Analysis, indexItem, Author.i, S. Godey

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000666 (2007)		MBE growth of heavily carbon doped GaAsSb on InP for heterojunction bipolar transistor applications
000A14 (2005)		As-P interface-sensitive GaInP/GaAs structures grown in a production MBE system
000B74 (2004)		Characterization of As-P interface-sensitive GaInP/GaAs structures grown in a production MBE system

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Molecular beam epitaxy
2	Crystal growth from vapors
2	Doping
2	High electron mobility transistor
2	III-V compound
2	III-V semiconductors
2	Photoluminescence
1	Bipolar transistors
1	Buffer layer
1	Carbon additions
1	Epitaxial film
1	Experimental study
1	Gallium arsenides
1	Gallium phosphide
1	Growth mechanism
1	Hall mobility
1	Heterojunction bipolar transistors
1	Hole mobility
1	Indium phosphide
1	Indium phosphides
1	Inorganic compounds
1	Interface
1	Large scale system
1	Memory effect
1	Microelectronic fabrication
1	Production system
1	Silicon addition
1	Solid source molecular beam epitaxy
1	Thin film

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France) Index « Auteurs » - entrée « S. Godey »
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