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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Auteurs » - entrée « R. Fauquembergue »
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R. Farre < R. Fauquembergue < R. Favre  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 6.
Ident.Authors (with country if any)Title
001B68 (1997) HEMT sur substrat InP de longueur de grille Lg=0,15 μm : comparaison entre un canal GaInAs et un canal composite GaInAs/InP
001D94 (1996-06) Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs «trois-cinq». Application aux matériaux GaAs et InP
002570 (1993) Raman scattering in InxGa1-xAs/GaAs superlattices grown by molecular beam epitaxy
002951 (1991) Etude théorique du transport électronique et du contrôle de charge dans Al0,48In0,52As/Ga0,47In0,53As/InP. Applications à la réalisation de HEMT
002B70 (1990) Electron transport properties of strained InxGa1-xAs
003093 (1984) Theoretical investigation of n+-n-n+Ga0,47|n0,53As TEO's Up to the millimeter-wave range

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
4Gallium Indium Arsenides Mixed
3Monte Carlo method
2Deformation
2Gallium Arsenides
2High electron mobility transistor
2III-V compound
2Indium Phosphides
2Theoretical study
2Transport process
1Aluminium Indium Arsenides Mixed
1Band structure
1Binary compound
1Binary compounds
1Charge carrier mobility
1Chemical composition
1Composition effect
1Computer simulation
1Conduction band
1Diffusion coefficient
1Electrical characteristic
1Energy-level density
1Epitaxial film
1Epitaxy
1Experimental study
1Field effect transistor
1Gallium arsenides
1Gunn oscillator
1Heterojunction transistor
1III-V semiconductors
1Impact ionization
1Indium Arsenides
1Indium phosphides
1Inorganic compound
1Inorganic compounds
1Microwave circuit
1Microwave oscillator
1Millimetric wave
1Mismatch lattice
1Molecular beam
1Multiple layer
1Performance characteristic
1Power transistor
1Raman scattering
1Semiconductor materials
1Solid solution
1Strong fields
1Superlattice
1Ternary compound
1Transistor channel
1Transport processes

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