Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Auteurs » - entrée « P. Legry »
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P. Legoll < P. Legry < P. Lehmann  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 2.
Ident.Authors (with country if any)Title
002618 (1993) Microwave performance of 0.4μm gate metamorphic In0.29Al0.71As/In0.3Ga0.7As HEMT on GaAs substrate
002A92 (1990) Ultra high transconductance 0•25 μm gate MESFET with strained InGaAs buffer layer

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents
Descripteur
2Epitaxy
2Field effect transistor
2Gallium Arsenides
2Gallium Indium Arsenides Mixed
2Microelectronic fabrication
2Molecular beam
2Transconductance
1Aluminium Indium Arsenides Mixed
1Buffer layer
1Cut off frequency
1Frequency response
1High electron mobility transistor
1Metal semiconductor field effect transistor
1Microwave
1Multiple quantum well
1Performance
1Semiconductor device
1Solid state device
1Theoretical study
1Voltage current curve

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   |flux=    France
   |étape=   Analysis
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   |index=    Author.i
   |clé=    P. Legry
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