IndiumV3, France, Analysis, indexItem, Author.i, P. L. Voss

P. L. Souza < P. L. Voss < P. L. Vuillermoz

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Number of relevant bibliographic references: 4.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
000025 (2013)		Semibulk InGaN: A novel approach for thick, single phase, epitaxial InGaN layers grown by MOVPE
000116 (2012)		Investigation of a relaxation mechanism specific to InGaN for improved MOVPE growth of nitride solar cell materials : Indium Nitride and Related Alloys
000297 (2010)		Metal-organic vapour phase epitaxy of BInGaN quaternary alloys and characterization of boron content
000321 (2010)		Epitaxial MOVPE growth of highly c-axis oriented InGaN/GaN films on ZnO- buffered Si (111) substrates

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
4	MOVPE method
3	Gallium nitride
3	Indium nitride
2	Cathodoluminescence
2	Epitaxial layers
2	Indium
2	Scanning transmission electron microscopy
2	Secondary ion mass spectrometry
2	Solar cells
2	Ternary compounds
2	VPE
2	XRD
1	Absorption spectra
1	Ammonia
1	Binary compounds
1	Boron
1	Buffers
1	Chemical etching
1	Concentration distribution
1	Cross section
1	Cross sections
1	Dark field microscopy
1	Digital simulation
1	Dimensionality
1	Electron microscopy
1	Energy gap
1	Epitaxy
1	Etching
1	Fluctuations
1	Gallium Indium Nitrides Mixed
1	Gallium sulfide
1	Growth mechanism
1	High-resolution methods
1	III-V compound
1	III-V semiconductors
1	Immersion
1	Interlayers
1	Lift off
1	Low pressure
1	Low temperature
1	Microelectronic fabrication
1	Mismatch lattice
1	Optical reflection
1	Optical transmission
1	Photoluminescence
1	Pseudomorphic growth
1	Quaternary alloys
1	SIMS
1	Silicon
1	Stacking sequence
1	Strain energy
1	Texture
1	Tunnel effect
1	X-ray photoelectron spectra
1	Zinc oxide

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France) Index « Auteurs » - entrée « P. L. Voss »
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