IndiumV3, France, Analysis, indexItem, Author.i, P. Henoc

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001A16 (1998)		Effects of electron beam irradiation followed by thermal chlorine etching on InAs substrate
002D95 (1988)		Growth and characterization of AlGaInAs lattice matched to InP grown by molecular-beam epitaxy
002D96 (1988)		Growth and characterization of AlGaInAs lattice matched to InP grown by molecular-beam epitaxy
002E77 (1987)		Study of static atomic displacements by channelled-electron-beam-induced X-ray emission : Application to In0,53Ga0.47 As alloys
002E92 (1987)		Recrystallization kinetics pattern in III-V implanted semiconductors
002F10 (1987)		Investigation of crystalline and optical properties of Al0.48In0.52As grown by molecular-beam expitaxy
002F77 (1986)		Activité électrique de dislocations induites dans InP dégradé optiquement
002F90 (1986)		Solid phase epitaxial regrowth of ion-implanted amorphized InP

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
8	Experimental study
7	Inorganic compound
6	Transmission electron microscopy
5	Epitaxy
5	Semiconductor materials
4	Solid solution
3	Chemical composition
3	Crystal growth
3	Molecular beam condensation
3	Thin film
2	Aluminium Gallium Indium Arsenides Mixed
2	Dislocation
2	Doping
2	Electron mobility
2	Gallium Indium Arsenides Mixed
2	Indium Phosphides
2	Photoluminescence
2	Recrystallization
2	Stacking fault
2	Theoretical study
2	X ray diffraction
1	Aluminium Indium Arsenides Mixed
1	Amorphization
1	Arsenic Atomic ions
1	Binary compounds
1	Cathodoluminescence
1	Channeling
1	Characterization
1	Charge carrier
1	Chemical etching
1	Chromium
1	Crystallinity
1	Electron beams
1	Electron diffraction
1	Electrons
1	Group IIIB metal Antimonides
1	Group IIIB metal Arsenides
1	Group IIIB metal Phosphorus
1	Growth from solid state
1	Hall effect
1	Heteroepitaxy
1	III-V compound
1	Impurity
1	Indium arsenides
1	Ion implantation
1	Iron
1	Kinetics
1	Lattice dynamics
1	Lifetime
1	Minority carrier
1	Mismatch lattice
1	Morphology
1	Native state
1	Optical properties
1	Oxides
1	Physical radiation effects
1	Silicon
1	Sulfur
1	Surface
1	Surface treatments
1	Temperature
1	Tin
1	X ray emission

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	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France) Index « Auteurs » - entrée « P. Henoc »
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