IndiumV3, France, Analysis, indexItem, Author.i, M. Buchheit

M. Brunel < M. Buchheit < M. Buffiere

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Number of relevant bibliographic references: 3.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
001A87 (1997-09-15)		Mechanical relaxation of strained semiconducting stripes: Influence on optoelectronic properties
001C69 (1997)		Growth of InGaAs/InP structures by gas source molecular beam epitaxy on SiO2-patterned substrates for optoelectronic applications
001F73 (1996)		Application of spectrally resolved scanning photoluminescence to assess relaxation processes of InGaAs and InAlAs layers strained in compression and tension

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Experimental study
3	Gallium arsenides
3	Photoluminescence
2	III-V semiconductors
2	Indium arsenides
2	Semiconductor materials
2	Ternary compounds
2	Thin films
1	Aluminium arsenides
1	Anelastic relaxation
1	Band structure
1	Binary compounds
1	Compressive stress
1	Crystal defects
1	Crystal growth from vapors
1	Deformation
1	Epitaxial layers
1	GSMBE method
1	Gallium compounds
1	High resolution
1	Indium compounds
1	Indium phosphides
1	Molecular beam epitaxy
1	Multilayers
1	Quantum wells
1	Relaxation
1	Scanning mode
1	Selective area
1	Semiconductor epitaxial layers
1	Strained superlattice
1	Tensile stress
1	Theoretical study
1	k.p calculations

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France) Index « Auteurs » - entrée « M. Buchheit »
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