IndiumV3, France, Analysis, indexItem, Author.i, L. P. Wang

L. P. Regnault < L. P. Wang < L. Paolasini

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Number of relevant bibliographic references: 3.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
001D19 (1997)		2D-3D transition in highly strained GaAs/Ga1-xInxAs heterostructures by transmission electron microscopy
002044 (1995-06-19)		Plastic stress relaxation in highly strained In0.30Ga0.70As/GaAs structures
002653 (1993)		Improvement of the growth of InxGa1-xAs on GaAs (001) using Te as surfactant

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Experimental study
2	Gallium arsenides
2	Indium arsenides
2	Roughness
2	Semiconductor materials
2	Stress relaxation
1	Atomic layer method
1	Binary compounds
1	Characterization
1	Crystal growth
1	Crystal growth from vapors
1	Dislocations
1	Elasticity
1	Epitaxial layers
1	Gallium Indium Arsenides Mixed
1	Growth mechanism
1	Heteroepitaxy
1	Heterojunctions
1	Inorganic compound
1	Molecular beam condensation
1	Molecular beam epitaxy
1	Morphology
1	Operating mode
1	Plastic deformation
1	Solid-solid interfaces
1	Strained layer
1	Stresses
1	Surfactant
1	Surfactants
1	TEM
1	Tellurium
1	Temperature effects
1	Ternary compounds
1	Thin film

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France) Index « Auteurs » - entrée « L. P. Wang »
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