IndiumV3, France, Analysis, indexItem, Author.i, L. Bodiou

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000109 (2012)		Nature and origin of V-defects present in metalorganic vapor phase epitaxy-grown (InxAl1-x)N layers as a function of InN content, layer thickness and growth parameters
000126 (2012)		Growth optimization and characterization of lattice-matched Al0.82In0.18N optical confinement layer for edge emitting nitride laser diodes

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Growth mechanism
2	III-V compound
2	Indium compounds
2	MOCVD
1	Atomic force microscopy
1	Crystal morphology
1	Doping
1	Edge dislocations
1	Gallium nitride
1	Hexagonal lattices
1	III-V semiconductors
1	Indium nitride
1	Interlayers
1	Laser diodes
1	Layer thickness
1	MOVPE method
1	Multilayer
1	Multilayers
1	Operating conditions
1	Optical confinement
1	Optimization
1	Secondary ion mass spectrometry
1	Semiconductor lasers
1	Semiconductor materials
1	Silicon
1	Silicon additions
1	Stress measurement
1	Ternary compounds
1	Thin films
1	Threading dislocation
1	Transmission electron microscopy
1	V shape
1	VPE
1	Waveguides
1	XRD

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France) Index « Auteurs » - entrée « L. Bodiou »
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