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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Auteurs » - entrée « J. Favre »
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J. Fatome < J. Favre < J. Ferme  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 2.
Ident.Authors (with country if any)Title
002618 (1993) Microwave performance of 0.4μm gate metamorphic In0.29Al0.71As/In0.3Ga0.7As HEMT on GaAs substrate
002846 (1992) Metamorphic In0.3Ga0.7As/In0.29Al0.71As layer on GaAs : a new structure for high performance high electron mobility transistor realization

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
2Aluminium Indium Arsenides Mixed
2Field effect transistor
2Gallium Arsenides
2Gallium Indium Arsenides Mixed
2High electron mobility transistor
2Voltage current curve
1Cut off frequency
1Design
1Epitaxy
1Frequency response
1III-V compound
1Microelectronic fabrication
1Microwave
1Molecular beam
1Performance
1Pseudomorphic transistor
1Structure
1Theoretical study
1Transconductance

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