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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Auteurs » - entrée « J. Durand »
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J. Dugue < J. Durand < J. E Guillemoles  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 13.
Ident.Authors (with country if any)Title
002984 (1991) Preparation electrical properties and interface studies of plasma nitride layers on n-type InP
002A76 (1990) Sulfuration thermique de InP sous pression réduite de vapeur de soufre
002A81 (1990) Passivation de InSb : croissance et composition chimique de sulfures natifs obtenus par plasma haute fréquence
002B86 (1990) Chemical and structural analysis by ellipsometry and x-ray reflectometry of thin sulfide layers grown on InP
002D05 (1988) Structure cristalline du trimétaphosphate d'indium(III)
002D06 (1988) Spectroscopie XPS d'oxydes et de sulfures d'InP: composés étalons et couches de passivation
002D19 (1988) Composition chimique des sulfures natifs formés sur InP par plasma indirect
002D79 (1988) Interface studies and electrical properties of plasma sulfide layers on n-type InP
002E31 (1987) Spectroscopie XPS d'oxydes et de sulfures d'InP: composés étalons et couches de passivation
002E36 (1987) Utilisation du diagramme des phases condensées du système In-P-S pour l'analyse de la composition des couches de sulfures natifs formées sur InP
002E39 (1987) Sulfuration assistée par plasma de InP
002E45 (1987) Passivation de la surface des semiconducteurs III-V pour la réalisation de l'isolant de grille d'un transistor MISFET. Cas de la sulfuration de InP
002F72 (1986) Etude du diagramme des phases condensées du système In-P-S

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
9Experimental study
9Sulfurization
8Indium Phosphides
7Thin film
6Inorganic compound
5Chemical composition
5Passivation
5Plasma
5Semiconductor materials
4Crystal growth
4Indium Sulfides
4Kinetics
3Glow discharge
3Native state
3X ray
2Density of states
2Dielectric materials
2Electrical properties
2Indium Oxides
2Indium Phosphates
2Indium Phosphides sulfides
2Oxidation
2Phase diagram
2Phosphorus Sulfides
2Photoelectron spectrometry
2Surface treatment
2Temperature
2Thickness
2X ray diffraction
1Antimony Sulfides
1Binding energy
1Characterization
1Chemical vapor deposition
1Core electron
1Core level
1Crystalline structure
1Dielectric function
1Diode
1Electric contact
1Electrical conductivity
1Electron binding energy
1Ellipsometry
1Field effect transistor
1Gas solid interface
1Gold
1Grazing incidence
1High frequency discharge
1III-V compound
1Indium Antimonides
1Indium Hydroxides
1Indium III Trimetaphosphates
1Indium Phosphates Hydrates
1Indium Phosphorus
1Indium Sulfur Phosphides Mixed
1Indium Thiophosphates
1Indium Trimetaphosphates
1Infrared absorption
1Interface
1Interface electron state
1MIS structure
1MIS transistor
1Models
1Phosphates Oxides
1Phosphorus Nitrides
1Photoelectron emission
1Photoelectron spectrum
1Plasma condensation
1Polymer
1Reflectometry
1Scanning electron microscopy
1Semiconductor insulator contact
1Solid solid interface
1Standard
1Stoichiometry
1Sulfides
1Surface
1Thermal method
1Thermodynamic properties
1Transistor gate
1Transition temperature
1Ultraviolet absorption
1Unit cell
1Valence band
1Valence electron
1Visible absorption
1Voltage capacity curve
1Voltage current curve
1X ray reflection
1X ray spectrometry

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