IndiumV3, France, Analysis, indexItem, Author.i, H. Ben Naceur

H. Belmabrouk < H. Ben Naceur < H. Ben Ouada

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000264 (2010)		Surfactant effect of bismuth in atmospheric pressure MOVPE growth of InAs layers on (1 0 0) GaAs substrates
000449 (2009)		Heteroepitaxial growth of thin InAs layers on GaAs(100) misoriented substrates: A structural and morphological comparison

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Atomic force microscopy
2	Indium arsenides
2	MOVPE method
2	XRD
1	Atmospheric pressure
1	Bismuth
1	Crystal orientation
1	Dislocation density
1	Electrical properties
1	Electron mobility
1	Epitaxial layers
1	Experimental design
1	Growth mechanism
1	Growth rate
1	Hall effect
1	Heteroepitaxy
1	III-V compound
1	III-V semiconductors
1	Mechanical properties
1	Nanodot
1	Nanostructured materials
1	Reflectivity
1	Roughness
1	Scanning electron microscopy
1	Stress relaxation
1	Surface morphology
1	Surfactants
1	Temperature effects
1	Temperature measurement
1	Thickness
1	Thickness measurement
1	Thin films
1	VPE

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France) Index « Auteurs » - entrée « H. Ben Naceur »
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