IndiumV3, France, Analysis, indexItem, Author.i, F. Jeannes

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001A61 (1997-11-15)		Structure of the GaAs/InP interface obtained by direct wafer bonding optimised for surface emitting optical devices
001C33 (1997)		Nonlinear optical and bistable properties of a wafer-fused vertical-cavity device based on InGaAsP
001E68 (1996)		Submilliwatt optical bistability in wafer fused vertical cavity at 1.55-μm wavelength

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Experimental study
2	Gallium arsenides
2	Nonlinear optics
1	Bistability threshold
1	Bistable
1	Cross sections
1	Dislocations
1	Experiments
1	Gallium phosphides
1	III-V semiconductors
1	Indium arsenides
1	Indium compounds
1	Indium phosphides
1	Infrared radiation
1	Interface structure
1	Optical bistability
1	Optical switches
1	Quaternary compounds
1	Refractive index
1	Semiconducting gallium arsenide
1	Semiconducting indium phosphide
1	Semiconductor device structures
1	Semiconductor growth
1	Semiconductor heterojunctions
1	Semiconductor materials
1	Submilliwatt optical bistability
1	Surface emitting lasers
1	TEM
1	Wafer bonding
1	Wafer fused vertical cavity

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France) Index « Auteurs » - entrée « F. Jeannes »
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