IndiumV3, France, Analysis, indexItem, Author.i, A. Telia

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Number of relevant bibliographic references: 3.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
000497 (2008)		Study of the hBN/InP interface by deep level transient and photoluminescence spectroscopies
001E90 (1996)		Photoluminescence intensity study of n-InP diodes in the accumulation regime
002A37 (1991)		Experimental analysis of temperature dependence of deep-level capture cross-section properties at the Au oxidized InP interface

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Indium Phosphides
2	Photoluminescence
1	Bias voltage
1	Binary compound
1	Boron nitride
1	Charge carrier trapping
1	Conduction bands
1	Czochralski method
1	DLTS
1	Deep level
1	Deep level transient spectrometry
1	Experimental study
1	Experimental test
1	Gold
1	Hexagonal crystals
1	III-V compound
1	III-V semiconductors
1	Indium phosphide
1	Inorganic compound
1	Interface states
1	Interfaces
1	Liquid encapsulation
1	Low temperature
1	MIS structure
1	MIS structures
1	N type conductivity
1	N type semiconductor
1	PECVD
1	Semiconductor diode
1	Semiconductor materials
1	Single crystal
1	Surface analysis
1	Surface states
1	Surface structure
1	Temperature
1	Theoretical study
1	Thin films
1	Transients

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France) Index « Auteurs » - entrée « A. Telia »
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