Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « AffVille.i » - entrée « Lyon »
Attention, ce site est en cours de développement !
Attention, site généré par des moyens informatiques à partir de corpus bruts.
Les informations ne sont donc pas validées.
Louvain-la-Neuve < Lyon < MARCOUSSIS  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 46.
[0-20] [0 - 20][0 - 46][20-40]
Ident.Authors (with country if any)Title
000063 (2013) Electrochemical analysis of a PPV derivative thin film doped with β-ketoimine calix[4]arene in the dark and under illumination for the detection of Hg2+ ions
000130 (2012) Efficient Preparation of Anhydrous Metallic Triflates and Triflimides under Ultrasonic Activation
000134 (2012) Design of amphoteric mixed oxides of zinc and Group 3 elements (Al, Ga, In): migration effects on basic features
000575 (2008) Enantioselective hydrogenation of olefins by chiral iridium phosphorothioite complex covalently anchored on mesoporous silica
000920 (2005) Octreotide (long-acting release formulation) treatment in patients with graves' orbitopathy: Clinical results of a four-month, randomized, placebo-controlled, double-blind study
000B89 (2004) Alloy broadening effect on optical properties of InGaAs grown by MOCVD with TMAs precursor
000C69 (2003) X-ray photoemission studies on InSb clusters
000D51 (2003) InP-based wavelength tunable vertical cavity surface emitting laser structures : Lasers semiconducteurs
000F76 (2002) Melting studies of indium: determination of the structure and density of melts at high pressures and high temperatures
001029 (2002) Detection of neuroendocrine tumors: 99mTc-P829 scintigraphy compared with 111In-pentetreotide scintigraphy
001286 (2001) A model for diffusion of beryllium in InGaAs/InP heterostructures
001297 (2000-12) Préparation par épitaxie par jets moléculaires d'alliages III-V à base de thallium
001371 (2000) Time resolved photoluminescence of homo- and hetero-epitaxial layers of InP grown on GaAs substrates
001509 (1999-12) Conception, réalisation technologique sur InP et caractérisation d'une source d'émission multi-longueurs d'onde pour les applications WDM à 1.5μm
001531 (1999-10) AMELIORATION DES CONNAISSANCES SUR LE COMPORTEMENT DES REJETS EN MER DE PRODUITS DE DRAGAGE DE TYPE VASE PHENOMENES A COURT TERME ET DANS LE CHAMP PROCHE
001538 (1999-09) Croissance de InGaAs désaccordé sur substrats compliants réalisés par adhésion moléculaire et fusion désalignée
001610 (1999-01) Fabrication, Caractérisation et Modélisation des Transistors Bipolaires à Double Hétérojonction InP pour Circuits de Communications Optiques à très Hauts Débits (40 Gbit/s)
001617 (1999-01) Conception et étude de micro-cavités opto-mécaniques accordables sur InP pour le démultiplexage en longueur d'onde
001645 (1999) The behaviour of control rod absorber under irradiation
001768 (1999) Be diffusion in InGaAs, InGaAsP epitaxial layers and across InGaZs/InGaAsP, InGaAs/InP heterointerfaces
001795 (1998-12) ETUDE DES EFFETS PARASITES DANS LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION (HFET) SUR SUBSTRAT InP

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/AffVille.i -k "Lyon" 
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/AffVille.i  \
                -Sk "Lyon" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/biblio.hfd 

Pour mettre un lien sur cette page dans le réseau Wicri

{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    France
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    AffVille.i
   |clé=    Lyon
}}

Wicri

This area was generated with Dilib version V0.5.77.
Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024