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| Efficient Preparation of Anhydrous Metallic Triflates and Triflimides under Ultrasonic Activation |
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| Profil métallique tissulaire par ICP-MS chez des sujets décédés |
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| Application de l'imagerie de photoluminescence à l'étude de la distribution spatiale de propriétés physico-chimiques de semiconducteurs pour la réalisation de dispositifs |
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| CONTRIBUTION A L'AMELIORATION DE METHODES DE CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE STRUCTURES MIS (Au/BN/InP) ET MOS |
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| Magnetic microscopy with small scale Hall probes (invited) (abstract) |
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| Modélisation des transistors à effet de champ sur substrat InP par méthode quasi-bidimensionnelle |
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| Numerical simulation and characterization of trapping noise in InGaP-GaAs heterojunctions devices at high injection |
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| Contact vs bulk effects in N-semi-insulating-N and P-semi-insulating-P diodes |
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| Indium-Promoted Reformatsky Reaction: A Straightforward Access to β-Amino and β-Hydroxy α,α-Difluoro Carbonyl Compounds |
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| Surfactant effect of bismuth in atmospheric pressure MOVPE growth of InAs layers on (1 0 0) GaAs substrates |
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| Theoretical analysis and comparison of SWIR active imaging detectors |
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| Investigation by EELS and TRIM simulation method of the interaction of Ar+ and N+ ions with the InP compound |
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| AES, EELS and TRIM investigation of InSb and InP compounds subjected to Ar+ ions bombardment |
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| Photoreflectance study at the micrometer scale |
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| Interfacial interaction of solid nickel with liquid bismuth and Bi-base alloys |
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| Comments on: Microwave noise modeling for InP-InGaAs HBTs. Authors' reply |
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| Alloy broadening effect on optical properties of InGaAs grown by MOCVD with TMAs precursor |
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| Implementation of an all-electron GW approximation based on the projector augmented wave method without plasmon pole approximation: Application to Si, SiC, AlAs, InAs, NaH, and KH |
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| Quantitative measurement of In fluctuation inside MOCVD InGaN QWs |
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| Gradual degradation in 980 nm InGaAs/AlGaAs pump lasers |
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| MISE EN ŒUVRE D'UNE NOUVELLE MÉTHODE DE CARACTÉRISATION EN BRUIT DE COMPOSANTS ACTIFS : ÉTUDE DU BRUIT HF DE DISPOSITIFS À HÉTÉROJONCTION POUR LES APPLICATIONS MILLIMÉTRIQUES |
| 001658 (1999) |
| Strain relaxation at cleaved surfaces studied by atomic force microscopy |
| 001665 (1999) |
| Simulation of post-growth Be diffusion in InGaAsP grown by GSMBE |
| 001675 (1999) |
| Random telegraph signal noise instabilities in latticemismatched InGaAs/InP photodiodes |
| 001681 (1999) |
| Partial enthalpies of Bi and Te in Bi-Te melts and of In and Te in In-Te melts |
| 001688 (1999) |
| Optical and mechanical design of an InP based tunable detector for gas sensing applications |
| 001793 (1998-12) |
| «SIMULATION MONTE-CARLO EN REGIMES STATIQUE ET DYNAMIQUE DE HEMT DE LA FILIERE InP» |
| 001794 (1998-12) |
| Ellipsométrie spectroscopique ex situ à plusieurs angles d'incidence : caractérisation de couches massives et de structures multicouches |
| 001801 (1998-12) |
| ASPECTS FONDAMENTAUX DE LA CROISSANCE EN SOLUTION ET EN PHASE VAPEUR DE L'OXYDE DE ZINC |
| 001811 (1998-11) |
| Etude des effets parasites du transistor à haute mobilité électronique (HEMT) sur InP pour applications micro-optoélectroniques |
| 001946 (1998) |
| Quantitative autoradiography using a radioimager based on a multiwire proportional chamber |
| 001985 (1998) |
| Investigation of Be diffusion in InGaAs using Kick-out mechanism |
| 001A31 (1998) |
| Be diffusion in InGaAs layers grown by gas source molecular beam epitaxy |
| 001A40 (1998) |
| A scintigraphic study of LDL-cholesterol irreversible trapping in a plasma fractionation membrane |
| 001A42 (1998) |
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| 001A51 (1997-12) |
| «MECANISMES DE CONDUCTION EN REGIME BALISTIQUE DANS LES DISPOSITIFS ELECTRONIQUES QUANTIQUES» |
| 001A54 (1997-12) |
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| 001A55 (1997-12) |
| MODÉLISATION DU BRUIT D'INTENSITÉ DES LASERS InGaAsP ÉTUDE DE LA TRANSLATION DU BRUIT BASSE FRÉQUENCE DANS LA BANDE DU SIGNAL DE MODULATION |
| 001A59 (1997-12) |
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| 001A67 (1997-11) |
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| 001B08 (1997-07) |
| Caractérisation et modélisation électrique du bruit hyperfréquence dans les structures bipolaires à hétérojonctions GaInP/GaAs et BiCMOS Silicium |
| 001B41 (1997-04) |
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| 001C80 (1997) |
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| Kinematic versus dynamic approaches of x-ray diffraction simulation. Application to the characterization of InGaAs/InGaAlAs multiple quantum wells |
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| Etude et réalisation de transistors HEMT AlInAs/GaInAs/InP pour circuits opto-électroniques à hauts débits |
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| Atomic structures of the tips of ultra-thin twins generated in InP by (001) homoepitaxial growth |
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| Détection autoradiographique à haute résolution d'émetteurs β-γ dans les tissus biologiques : cas de l'Indium 111 |
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| Dépôt de nitrure de bore par PECVD pour son utilisation comme isolant de grille dans les structures MISFET sur InP |
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| Solvent contribution to the capacitance and solvent orientation at an uncharged electrode. I: Theoretical aspects |
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| Mécanismes de conduction à basse température au voisinage de la transition métal-isolant dans le phosphure d'indium |
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| Microwave analysis of AlGaAs/InGaAs HEMT using Monte Carlo simulation |
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| Metallography of Au-InPb diffusion couples and electronic components soldered with InPb alloys |
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| Interest in AlGalnAs on InP for optoelectronic applications |
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| Influence of pH on GaInAs photoetching |
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| Etude du dopage de type n et p des matériaux GaAs et GaInP |
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| Numerical simulation of avalanche photodiodes with guard ring |
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| Corrosion of III-V compounds ; a comparative study of GaAs and InP. II: Reaction scheme and influence of surface properties |
| 002B01 (1990) |
| The first fabrication of n- and p-type Ga0.49In0.51P/Ga(In)As lattice matched and strained HIGFET structures grown by MOCVD |
| 002C96 (1988) |
| Travaux présentés/5èmes. Journées nationales microondes, Nice, 22-24 juin 1987 |
| 002D12 (1988) |
| Détermination simultanée de l'étain et de l'indium dans les milieux biologiques, par redissolution anodique couplée à la polarographie impulsionnelle |
| 002D56 (1988) |
| Physical parameters of GaInAs/Si3N4 interface states obtained by the conductance method |
| 002D67 (1988) |
| Neutron powder diffraction study of solid solution Li1+xTi2-xInxP3O12. I: 0.0≤x≤0.4 |
| 002E35 (1987) |
| Variations des teneurs en elements mineurs (Cd, In, Ge, Ga, Ag, Bi, Se, Hg, Sn) des minerais de Pb-Zn de la province polymetallique des Andes du Perou Central. |
| 002E74 (1987) |
| Surface charge effects on planar submicrometer GaAs and InP devices |
| 002F73 (1986) |
| Etude des interactions In3+-ligande par corrélation angulaire perturbée (CAP) |
| 003089 (1984) |
| Calcul par la méthode de Monte Carlo des profils de dépôts d'énergie de faisceaux d'électrons pulsés dans InP |
