Analysis
France
Racine
Analysis
France
Repository
Accueil
Racine
Racine

Serveur d'exploration sur l'Indium

Attention, ce site est en cours de développement !
Attention, site généré par des moyens informatiques à partir de corpus bruts.
Les informations ne sont donc pas validées.

Le cluster Béryllium - Manganèse

Terms

13Béryllium
6Manganèse
5France
10Spectrométrie
3Dragage
6Magnésium
5Mercure

Associations

Freq.WeightAssociation
11Béryllium - Manganèse
11France - Spectrométrie
11France - Manganèse
11Dragage - France
11Béryllium - Magnésium
11Magnésium - Mercure
Documents par ordre de pertinence
000479 (2008) MISE EN ÉVIDENCE DU RISQUE CHIMIQUE ASSOCIÉ AU RETRAITEMENT DES PILES ALCALINES/SALINES ET CARACTÉRISATION DE LEUR COMPOSITION ORGANIQUE ET MINÉRALE
001627 (1999) Contribution à l'amélioration des connaissances sur le comportement des rejets en mer de produit de dragage de type vase
002A85 (1990) Expérimentation simultanée de plusieurs traceurs activables dans le réseau karstique du Châtillonnais
002C48 (1989) Oxygen complexes in III-V compounds as determined by secondary-ion mass spectrometry under cesium bombardment
002E98 (1987) Photoluminescence studies of Mg and Hg implanted Ga0,47In0,53As
003075 (1985) Further evidence of chromium, manganese, iron, and zinc redistribution in indium phosphide after annealing
000104 (2012) Pillaring Role of 4,4'-Azobis(pyridine) in Substituted Malonate-Containing Manganese(II) Complexes: Syntheses, Crystal Structures, and Magnetic Properties
000135 (2012) Defect and phase stability of solid solutions of Mg2X with an antifluorite structure: An ab initio study
000182 (2011) Rapidly synthesis of nanocrystalline MgIn2O4 spinel using combustion and solid state chemistry
000379 (2009) Thermoelectric Properties and Electronic Structure of Bi- and Ag-Doped Mg2Si1-xGex Compounds
000391 (2009) Study of LWIR and VLWIR Focal Plane Array Developments: Comparison Between p-on-n and Different n-on-p Technologies on LPE HgCdTe
000395 (2009) Status of very long infrared wave focal plane array development at DEFIR
000802 (2006) Magnetic and structural properties of Mn/InSb(001)
000E02 (2003) Atomic structure and magnetic properties of Mn on InAs(1 0 0)
000E23 (2002-11-15) Molecular electronic model and vibronic coupling to -vibrational modes of the fluorescent level 4T1 of d5 ions in II-VI and III-V compounds
000E58 (2002-06-03) Electron lifetime of heavily Be-doped In0.53Ga0.47As as a function of growth temperature and doping density
001132 (2001) Use of the indium 113 in the laboratory to improve our knowledge on the behavior of the discharges of muddy dredged material
001284 (2001) Absolute determination of the Fermi level pinning at the dielectric/semiconductor interface in GaAs based heterostructures
001531 (1999-10) AMELIORATION DES CONNAISSANCES SUR LE COMPORTEMENT DES REJETS EN MER DE PRODUITS DE DRAGAGE DE TYPE VASE PHENOMENES A COURT TERME ET DANS LE CHAMP PROCHE
001616 (1999-01) ETUDE DE LA SENSIBILITE A LA TEMPERATURE DE STRUCTURES LASERS ALUMINO-PHOSPHOREES A MULTI-PUITS QUANTIQUES SUR SUBSTRAT INP
001619 (1999-01) Search for low-energy upscattering of ultracold neutrons from a beryllium surface
001904 (1998) Les recherches françaises sur les couches minces
001A83 (1997-10) Application des contraintes biaxiales à l'amélioration du transport vertical des trous dans les hétérostructures
001C07 (1997) Spatially resolved optical of spectroscopy of GaAs islands on InAs (111)
001D04 (1997) Beryllium diffusion in InGaAs epitaxial layers: a point defect nonequilibrium model
001D36 (1996-11) SIMULATION NUMERIQUE DE LA DIFFUSION DE DOPANTS DANS LES MATERIAUX III-V POUR LES COMPOSANTS MICROOPTOELECTRONIQUES
001D54 (1996-10) Contribution à l'optimisation de structures lasers à puits quantiques contraints sur InP, à base des systèmes GaInAsP/GaInAsP/InP et GaInAs/GaInAlAs/InP. Applications aux télécommunications optiques
001E05 (1996-05) Nouveaux verres fluorés d'indium et de gallium. Application à l'amplification optique à 1,3 micromètre
001F91 (1995-12) Modélisation de la diffusion du Be dans les structures épitaxiales en InGaAs pour les dispositifs microoptoélectroniques
002083 (1995-01-01) Admittance spectroscopy of InAlAs/InGaAs single-quantum-well structure with high concentration of electron traps in InAlAs layers
002115 (1995) Study of deep level defect behaviour in rapid thermal annealed Fe-doped semi-insulating InPeng
002370 (1994) Optical characterization of chemical beam epitaxy grown Ga0.52In0.48P layers and related microstructures
002691 (1993) Electrical properties of P-rich InP grown by gas source MBE
002791 (1992) Universal iron behaviour in Zn-, Cd- and Be-doped p-type InP
002907 (1992) Electrical behavior of Yb ion in p- and n-type InP
002A57 (1991) Deep-level photoluminescence emission in heavily Be-doped CBE-grown InP : an explanation of low Be acceptor activity
002C17 (1989) Dopage béryllium de couches InGaAs élaborées par épitaxie jet moléculaire: étude de la compensation
002E06 (1988) Evolution of the electron acoustic signal as function of doping level in III-V semiconductors
002E35 (1987) Variations des teneurs en elements mineurs (Cd, In, Ge, Ga, Ag, Bi, Se, Hg, Sn) des minerais de Pb-Zn de la province polymetallique des Andes du Perou Central.
002F11 (1987) Influence of oxygen incorporation on beryllium-doped InGaAs grown by molecular beam epitaxy
003065 (1985) Shallow p+ layers in In0.53Ga0.47As by Hg implantation
003124 (1983) Influence du dopage du CdS sur la stabilité de la cellule Cu2S-CdS «spray»
Wicri

This area was generated with Dilib version V0.5.77.
Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024