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| MISE EN ŒUVRE D'UNE NOUVELLE MÉTHODE DE CARACTÉRISATION EN BRUIT DE COMPOSANTS ACTIFS : ÉTUDE DU BRUIT HF DE DISPOSITIFS À HÉTÉROJONCTION POUR LES APPLICATIONS MILLIMÉTRIQUES |
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| Caractérisation et modélisation petit signal et en bruit des transistors bipolaires à hétérojonction aux fréquences micro-ondes |
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| Caractérisation et modélisation électrique du bruit hyperfréquence dans les structures bipolaires à hétérojonctions GaInP/GaAs et BiCMOS Silicium |
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| Passivation des semi-conducteurs III-V à base d'InP avec un procédé intégré incluant un plasma DECR d'ammoniac et un dépôt photochimique de nitrure de silicium |
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| MISE EN OEUVRE D'UNE METHODE DE CONCEPTION DE CIRCUITS ET MODULES A BASE DE TRANSISTORS RIPOLAIRES A HETEROJONCTION APPLIQUEE A DES CIRCUITS A 20 GBITS/S |
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| Propriétés en bruit basse fréquence des DHBT's GaInP/GaAs/GaInP |
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| Etude des caractéristiques optoélectroniques du transistor bipolaire à hétérojonction GaInP/GaAs |
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| Etude analytique des performances d'un mélangeur en cellule de Gilbert à base de TBH : Comparaison entre les technologies GaAs et InP |
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| Conception et réalisation de circuits de décision multivalués à 40 Gbit/s en technologie TBH InP |
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| Conception et Caractérisation d'Inductances Actives MMIC à Base de Transistors Bipolaires à Hétérojonction. Application à la Réalisation de l'Elément d'Accord d'un Oscillateur Monolithique Contrôlé en Tension |
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| 000B74 (2004) |
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| Etude de la technologie et des potentialités pour l'amplification de puissance hyperfréquence des transistors à effet de champ des filières phosphure AlGaInP/GaInAs et métamorphique AlInAs/GaInAs sur substrat GaAs |
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| Optical properties of (In, Ga)As/GaAs heterostructures grown on conventional (100) and (111)B GaAs substrates |
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| Magnetoresistance oscillations in an Aharonov-Bohm ring using two-dimensional electron gas InAs |
| 001714 (1999) |
| Initial stages of InP/GaP (100) and (111)A, B grown by metal organic chemical vapor deposition |
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| Electrical characterization of the Au/InP(100) and Au/InSb/InP(100) structures |
| 001756 (1999) |
| Damage characterization of anisotropic InP patterns obtained by SiCl4 Reactive Ion Etching |
| 001763 (1999) |
| Characterization of the M.S structure by the surface photoelectrical voltage method |
| 001795 (1998-12) |
| ETUDE DES EFFETS PARASITES DANS LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION (HFET) SUR SUBSTRAT InP |
| 001796 (1998-12) |
| ELABORATION D'HETEROSTRUCTURES A BASE D'ANTIMONIURES. ETUDE ET OPTIMISATION DE LA FORMATION DES INTERFACES InAs/GaSb ET GaSb/InAs |
| 001812 (1998-11) |
| Epitaxie par jets moléculaires à sources gazeuses des matériaux (AlGa)InP sur substrat GaAs pour applications hyperfréquences |
| 001851 (1998-07) |
| ETUDES EXPERIMENTALES ET MODELISATION DE LA DIFFUSION DU Be DANS DES STRUCTURES EPITAXIEES III-V |
