| 001595 (1999-02) |
| Etude de la technologie et des potentialités pour l'amplification de puissance hyperfréquence des transistors à effet de champ des filières phosphure AlGaInP/GaInAs et métamorphique AlInAs/GaInAs sur substrat GaAs |
| 001793 (1998-12) |
| «SIMULATION MONTE-CARLO EN REGIMES STATIQUE ET DYNAMIQUE DE HEMT DE LA FILIERE InP» |
| 001798 (1998-12) |
| Conception, réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ à hétérojonction sur substrat d'InP pour circuits intégrés coplanaires en bandes V et W |
| 001814 (1998-11) |
| Conception et réalisation de transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrat InP. Application à l'amplification faible bruit en ondes millimétriques |
| 001853 (1998-07) |
| CARACTERISATION ET BRUIT DE FOND DE TRANSISTORS BIPOLAIRES |
| 001875 (1998-04) |
| ETUDE DES MODES DE CROISSANCE ET DES MECANISMES DE RELAXATION DES COUCHES InxGa1-xAs (x < 0,53) CONTRAINTES EN TENSION SUR InP : APPLICATION DANS LA REALISATION D'HETEROSTRUCTURES POUR COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES |
| 001889 (1998-02) |
| ETUDE THEORIQUE ET OPTIMISATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE LA FILIERE InP ET DE LA FILIERE GaN |
| 001896 (1998-01) |
| Conception, réalisation et caractérisation de transistors bipolaires de puissance à hétérojonction GaInP/GaAs et comparaison avec les TBH's GaAlAs/GaAs |
| 001984 (1998) |
| Investigation on base surface recombination in Self Passivated GaAlAs/GalnP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor |
| 001A43 (1998) |
| 5-mw and 5% efficiency 216-GHz InP-based heterostructure barrier varactor tripler |
| 001A79 (1997-10) |
| Etude et conception d'un modulateur électro-absorbant basé sur des puits quantiques de type II dans le système contraint In0.3Ga0.7As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As sur substrat InP |
| 001A83 (1997-10) |
| Application des contraintes biaxiales à l'amélioration du transport vertical des trous dans les hétérostructures |
| 001B40 (1997-04) |
| La passivation des composés épitaxiés sur InP par dépôt photolytique direct de nitrure de silicium : Application à la photodiode à avalanche à multipuits quantiques |
| 001D27 (1996-12) |
| Gravure Plasma pour Microélectronique InP |
| 001D31 (1996-12) |
| Croissance par épitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures à dopage planaire pour application aux transistors HEMT |
| 001E06 (1996-05) |
| Etude et optimisation de lasers semiconducteurs à puits quantiques dans le système In Ga As/In Ga AlAs/In P pour télécommunications optiques |
| 002330 (1994-01) |
| Caractérisation optique de micro-structures III-V contraintes |
| 002471 (1993-10) |
| Elaboration par épitaxie par jets moléculaires et caractérisation d'hétérostructures pseudomorphiques Ga1-xInxAs/AlInAs sur InP pour transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) |
| 001610 (1999-01) |
| Fabrication, Caractérisation et Modélisation des Transistors Bipolaires à Double Hétérojonction InP pour Circuits de Communications Optiques à très Hauts Débits (40 Gbit/s) |
| 001616 (1999-01) |
| ETUDE DE LA SENSIBILITE A LA TEMPERATURE DE STRUCTURES LASERS ALUMINO-PHOSPHOREES A MULTI-PUITS QUANTIQUES SUR SUBSTRAT INP |
| 001726 (1999) |
| High-power V-band Ga0.51In0.49P/In0.2Ga0.8As pseudomorphic HEMT grown by gas source molecular beam epitaxy |
| 001809 (1998-11) |
| Étude et réalisation de lasers à cavité verticale antimoniures fonctionnant à 1,55 μm sur InP |
| 001815 (1998-11) |
| Application de l'imagerie de photoluminescence à l'étude de la distribution spatiale de propriétés physico-chimiques de semiconducteurs pour la réalisation de dispositifs |
| 001876 (1998-04) |
| Conception et élaboration comparée de structures III-V (111) piézo-électriques épitaxiées par jets moléculaires, sur substrats nominaux et vicinaux, en vue de leur application pour l'optoélectronique |
| 001989 (1998) |
| Influence of a base epitaxial regrowth on first order and low frequency noise measurements on GaInP/GaAs HBTs |
| 001990 (1998) |
| InGaAs/InAlAs/AlAs heterostructure barrier varactors for harmonic multiplication |
| 001A01 (1998) |
| Growth characteristics of hydride-free chemical beam epitaxy and application to GaLnP/GaAs heterojunction bipolar transistors |
| 001A26 (1998) |
| CBE growth of carbon doped InGaAs/InP HBTs for 25 Gbit/s circuits |
| 001A29 (1998) |
| Best combination between power density, efficiency, and gain at V-band with an InP-based PHEMT structure |
| 001A54 (1997-12) |
| Modélisation non linéaire des Transistors Bipolaires à Hétérojonction pour la conception des circuits micro-ondes. Méthodes de caractérisation associées au modèle |
| 001A59 (1997-12) |
| Caractérisation et modélisation petit signal et en bruit des transistors bipolaires à hétérojonction aux fréquences micro-ondes |
| 001A82 (1997-10) |
| CROISSANCE PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR AUX ORGANOMETALLIQUES DE STRUCTURES A CAVITE VERTICALES POUR TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES |
| 001B08 (1997-07) |
| Caractérisation et modélisation électrique du bruit hyperfréquence dans les structures bipolaires à hétérojonctions GaInP/GaAs et BiCMOS Silicium |
| 001B24 (1997-06) |
| Passivation des semi-conducteurs III-V à base d'InP avec un procédé intégré incluant un plasma DECR d'ammoniac et un dépôt photochimique de nitrure de silicium |
| 001B60 (1997) |
| Propriétés en bruit basse fréquence des DHBT's GaInP/GaAs/GaInP |
| 001B61 (1997) |
| Phototransistors bipolaires à hétérojonction InP/InGaAs à guide d'onde |
| 001B62 (1997) |
| Phototransistor TBH InGaAs/InP pour conversion optique/microondes |
| 001B63 (1997) |
| Modélisation globale des TBH GaInP/GaAs pour applications de puissance en bande X |
| 001B67 (1997) |
| HEMT à canal composite GaInAs/InP pour circuits de modulation optique |
| 001B68 (1997) |
| HEMT sur substrat InP de longueur de grille Lg=0,15 μm : comparaison entre un canal GaInAs et un canal composite GaInAs/InP |
| 001B69 (1997) |
| Etude des caractéristiques optoélectroniques du transistor bipolaire à hétérojonction GaInP/GaAs |
| 001B74 (1997) |
| Conception d'un oscillateur H.B.T. GaInP/GaAs très faible bruit de phase : -124 dBc/Hz à 10 KHz en bande C |
| 001C96 (1997) |
| Comparison of noise between passivated and unpassivated AlGaAs/GaAs and GaInP/GaAs HBTs |
| 001D28 (1996-12) |
| Filière technologique TBH InP/GaInAs pour applications aux systèmes de communications à haut débit |
| 001D51 (1996-10) |
| Etude et réalisation de transistors HIGFETs complémentaires en technologie auto-alignée pour circuits logiques rapides à faible consommation |
| 001D80 (1996-07) |
| Etude du bruit de fond dans les transistors bipolaires hyperfréquences à hétérojonction GaInP/GaAs |
| 001D92 (1996-06) |
| Réalisation et Caractérisation de Transistors Bipolaires à Hétérojonction InP/InGaAs/Métal (Structure MHBT) |
| 001D99 (1996-06) |
| Conception et Caractérisation d'Inductances Actives MMIC à Base de Transistors Bipolaires à Hétérojonction. Application à la Réalisation de l'Elément d'Accord d'un Oscillateur Monolithique Contrôlé en Tension |
| 001E26 (1996-03) |
| Mesure des indices de réfraction de semiconducteurs III - V en structure guide d'onde |
| 001E44 (1996) |
| Photodiode de type Métal-Semiconducteur-Métal (MSM) sur substrat d'InP |
| 001F80 (1996) |
| A 90% power-added-deficiency GaInP/GaAs HBT for L-band radar and mobile communication systems |
| 002040 (1995-07) |
| Optimisation et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction GaInP/GaAs. Application aux amplificateurs monolithiques de puissance, bande X |
| 002107 (1995) |
| Theoretical analysis of the influence of the barrier composition on properties of GalnAs/GalnAsP/GalnP laser diodes |
| 002118 (1995) |
| Stability of (114) and (114¯) facets in III-V compounds under usual MBE conditions |
| 002147 (1995) |
| Molecular beam epitaxy of AlGaInAs on patterned InP substrates for optoelectronic applications |
| 002160 (1995) |
| LF excess noise analysis of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs |
| 002225 (1994-12) |
| Optimisation du transistor bipolaire à hétérojonction GaAs à fort dopage de base |
| 002238 (1994-11) |
| Etude de photodétecteurs métal-semiconducteur-métal pour des applications micro-ondes |
| 002267 (1994-07) |
| Etude du bruit télégraphique, du courant d'obscurité et des niveaux profonds dans les photodiodes InP/InGaAs/InP en désaccord de maille |
| 002278 (1994-06) |
| Transistors à effet de champ à hétérojonction à grille submicrométrique: modélisation des performances limites et comparaison avec les mesures |
| 002301 (1994-04) |
| Elaboration d'une technologie planar par reprise d'épitaxie sélective par jets chimiques pour TBH GaInP/GaAs |
| 002308 (1994-03) |
| Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétérojonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande X |
| 002391 (1994) |
| LP-MOCVD grown GaInP/GaAs HBTs for VCOs and power amplifier MMICs |
| 002409 (1994) |
| First hydride free GaInP/GaAs carbon doped HBT grown by CBE using DMAAs and TBP |
| 002454 (1994) |
| (NH4)2Sx passivation treatment and UVCVD stabilisation for GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors |
| 002470 (1993-10) |
| Etude de deux filières lasers émettant vers deux micromètres: filière accordée GaInAsSb/GaSb et filières désaccordée InAs/InP |
| 002480 (1993-07) |
| Transistor à effet de champ à couche métamorphique AlInAs/GaInAs/GaAs: un nouveau composant pour l'amplification hyperfréquence et la logique ultra rapide |
| 002714 (1993) |
| Cryogenic investigation of gate leakage and RF performance down to 50K of 0.2μm AlInAs/GaInAs/InP HEMT's |
| 002E70 (1987) |
| Theory of the chemical shift at relaxed (110) surfaces of III-V semiconductor compounds |
| 000328 (2010) |
| Electrically driven hybrid Si/III-V lasers based on adiabatic mode transformers |
| 000592 (2008) |
| Compact Optical Modulator based on Carrier Induced Gain of an InP/InGaAsP Micro-disk Cavity Integrated on SOI |
| 001675 (1999) |
| Random telegraph signal noise instabilities in latticemismatched InGaAs/InP photodiodes |
| 001751 (1999) |
| Effect of the T-gate on the performance of recessed HEMTs. A Monte Carlo analysis |
| 001812 (1998-11) |
| Epitaxie par jets moléculaires à sources gazeuses des matériaux (AlGa)InP sur substrat GaAs pour applications hyperfréquences |
| 001849 (1998-07) |
| PHOTODIODES À AVALANCHE À SUPER-RÉSEAUX AIInAs/AIGaInAs À ÉCLAIRAGE LATÉRAL POUR LES TÉLÉCOMMUNICATIONS À 20 Gbit/s |
| 001852 (1998-07) |
| Caractérisation électrique du quaternaire (Ga0.47 In0.53As)1-x (Al0.48In0.52As)x (x=30%) et Application au transistor HFET pour la photodétection à 1,3-1.55μm. |
| 001867 (1998-05) |
| Etude de la dynamique, de l'émission laser, de l'amplification et de la commutation dans des structures laser à cavité verticale à 1.55μm |
| 001A00 (1998) |
| HEMTs for low-power and low-frequency noise 4.2 K cryoelectronics : fabrication and characterization |
| 001A19 (1998) |
| Doping optimizations for InGaAs/InP composite channel HEMTs |
| 001B19 (1997-06) |
| ÉTUDE EXPÉRIMENTALE ET MODÉLISATION DE STRUCTURES GUIDE D'ONDES EN SEMICONDUCTEURS III-V POUR LA COMMUTATION OPTIQUE |
| 001B48 (1997-02) |
| Réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ à hétérojonction de la filière AlInAs/GaInAs pour applications en ondes millimétriques |
| 001D54 (1996-10) |
| Contribution à l'optimisation de structures lasers à puits quantiques contraints sur InP, à base des systèmes GaInAsP/GaInAsP/InP et GaInAs/GaInAlAs/InP. Applications aux télécommunications optiques |
| 001D96 (1996-06) |
| Etude du régime transitoire dans les oscillateurs à super-réseau GaInAs/AlInAs par échantillonnage électro-optique picoseconde |
| 002003 (1995-11) |
| Photodiodes à avalanche à multi-puits quantiques AlInAs/GaInAs |
| 002065 (1995-03) |
| «Epitaxie par jets moléculaires d'organo-métalliques d'hétérostructures contraintes In(As,P)/InP: de l'interface au composant photovoltaïque» |
| 002135 (1995) |
| Piezoelectric field measurements by photoreflectance in strained InGaAs/GaAs structures grown on polar substrates |
| 002172 (1995) |
| High optical power nonlinear dynamic response of AlInAs/GaInAs MSM photodiode |
| 002186 (1995) |
| Electroabsorption modulators for high-bit-rate optical communications : a comparison of strained InGaAs/InAlAs and InGaAsP/InGaAsP |
| 002194 (1995) |
| Cutoff frequency and responsivity limitation of AlInAs/GaInAs MSM PD using a two dimensional bipolar physical model |
| 002209 (1995) |
| Atmospheric pressure MOVPE growth of high performance polarisation insensitive strain compensated MQW InGaAsP/InGaAs optical amplifier |
| 002233 (1994-11) |
| Transport électronique en régime de mobilité: application aux systèmes bidimensionnels contraints InAlAs/InGaAs/InAlAs |
| 002254 (1994-09) |
| Modélisation de diodes laser à puits quantiques contraints GaInAs émettant dans la gamme des 980 nm |
| 002294 (1994-05) |
| Optimisation des conditions du Recuit Rapide Isotherme sur substrats InP encapsulés InGaAs pour application aux composants avancés |
| 002328 (1994-01) |
| Elaboration par EJM de structures d'antimoniures. Application à l'optoélectronique |
| 002333 (1994) |
| Optimisation de dispositifs en guide d'onde avec coupleur à réseau : application aux commutateurs optiques |
| 002490 (1993-06) |
| Contribution à l'étude par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques de matériaux (Al)GaInAs(P) sur InP pour composants opto et microélectroniques dans un réacteur multi-plaques expérimental |
| 002524 (1993) |
| Very low chirping of InGaAs-InGaAlAs MQW DFB BRS lasers under 10 Gbit/s modulation |
| 002563 (1993) |
| Scaling behavior of delta-doped AlGaAs/InGaAs high electron mobility transistors with gatelengths down to 60 nm and source-drain gaps down to 230 nm |
| 002749 (1993) |
| 3dB coupler-balanced pin pair JFET circuit integrated on InP for coherent detection |
| 002E27 (1988) |
| Band-edge deformation potentials in a tight-binding framework |
