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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Keywords » - entrée « Semiconductor device breakdown »
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Semiconductor device < Semiconductor device breakdown < Semiconductor device manufacture  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 4.
Ident.Authors (with country if any)Title
001A52 (2003-12-29) Breakdown characteristics of InP/InGaAs composite-collector double heterojunction bipolar transistor
001B01 (2003-05) Depletion- and enhancement-mode In0.49Ga0.51P/InGaAs/AlGaAs high-electron-mobility transistors with high-breakdown voltage
001B18 (2003-01) Study on dc characteristics of an interesting InP/InGaAs tunneling-emitter bipolar transistor with double heterostructures
001C83 (2002-05) Study of InGaP/GaAs/InGaAs high-barrier gate and heterostructure-channel field-effect transistors

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis

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