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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Keywords » - entrée « GSMBE »
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GRINSCH laser < GSMBE < GSMBE method  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 4.
Ident.Authors (with country if any)Title
002588 (1996) The effect of III-V ratio at the substrate surface on the quality of InP grown by GSMBE
002599 (1996) Parametric study on lattice-matched and pseudomorphic InGaAs/InAlAs/InP modulation-doped heterostructures grown by GSMBE
002617 (1996) GSMBE growth and PL investigation of lattice-matched InGaAs/InP quantum wells
002797 (1994) High-quality InGaP and InGaP/InAlP multiple quantum well grown by gas-source molecular beam epitaxy

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis

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HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/KwdEn.i  \
                -Sk "GSMBE" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/biblio.hfd

Pour mettre un lien sur cette page dans le réseau Wicri

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   |area=    IndiumV3
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   |index=    KwdEn.i
   |clé=    GSMBE
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Wicri

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