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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Keywords » - entrée « Atomic layer method »
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Atomic layer epitaxial growth < Atomic layer method < Atomic number  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 5.
Ident.Authors (with country if any)Title
000801 (2011) Inverted polymer solar cells with atomic layer deposited CdS film as an electron collection layer
000B43 (2010) Free-standing GaN-based LEDs with ALD-Al2O3/Si substrate removed by wet etching
000E03 (2009) Morphology and characterization of ITO-Ag-ITO films on fibers by layer-by-layer method
001923 (2004) Thermal annealing effect on InAs/InGaAs quantum dots grown by atomic layer molecular beam epitaxy
002146 (2000) 1.35 μm photoluminescence from In0.5Ga0.5As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy via cycled (InAs)1/(GaAs)1 monolayer deposition

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis

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HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/KwdEn.i  \
                -Sk "Atomic layer method" \
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