IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, ZHIYIN GAN

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000253 (2013)		First principles calculations for band-gap energy properties of non-polar and semi-polar ternary nitride alloys under in-plane strain
000B28 (2010)		Improved light extraction of GaN-based light-emitting diodes by ITO patterning with optimization design
000E36 (2009)		Improved light extraction of GaN-based light-emitting diodes with surface-patterned ITO

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Binary compound
2	ITO layers
2	Light emitting diode
1	Aluminium Gallium Nitrides Mixed
1	Atomic force microscopy
1	Band structure
1	Compressive stress
1	Damaging
1	Density functional method
1	Doped materials
1	Energy gap
1	Gallium Indium Nitrides Mixed
1	Gallium Nitrides
1	Gallium nitride
1	III-V semiconductors
1	Indium oxide
1	Injection current
1	Lithography
1	Microstructure
1	Optimal design
1	Optimization
1	Output power
1	Performance evaluation
1	Periodic structure
1	Plane strain
1	Plasma
1	Ray tracing
1	Scanning electron microscopy
1	Surface analysis
1	Surface treatment
1	Tensile stress
1	Tin addition
1	Wurtzite structure

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                -Sk "ZHIYIN GAN" \
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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « ZHIYIN GAN »
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