IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, Z. Y. Dong

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001224 (2008)		Annihilation of deep level defects in InP through high temperature annealing
001644 (2006)		Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
001A42 (2004)		Annealing ambient controlled deep defect formation in InP

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Annealing
2	DLTS
2	Deep level
2	Defect formation
2	Defect states
2	III-V semiconductors
2	Indium phosphide
2	Thermostimulated conduction
1	Annealing temperature
1	Binary compound
1	Binary compounds
1	Crystal defects
1	Defect annihilation
1	Defect characterization
1	Defect density
1	Defect detection
1	Defect level
1	Doping
1	Electron beam
1	Electron irradiation
1	Experimental study
1	Heat treatments
1	High temperature
1	Indium phosphides
1	Inorganic compound
1	Iron
1	Iron additions
1	Irradiation defect
1	Phosphorus
1	Photoinduction
1	Point defects
1	Radiation effect
1	Semiconductor materials
1	Thermal annealing
1	Transition metal

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « Z. Y. Dong »
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