IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, Z. M. Huang

Z. M. Ding < Z. M. Huang < Z. M. Jin

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Number of relevant bibliographic references: 4.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
001250 (2007)		Weak antilocalization and beating pattern in an InGaAs/InAlAs quantum well
001318 (2007)		Pseudospin in Si δ-doped InAlAs/InGaAs/InAlAs single quantum well
001E29 (2001-09-17)		Subband electron properties of highly doped InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron-mobility transistors on GaAs substrates
001E37 (2001-08-27)		Longitudinal optic phonon-plasmon coupling in δ-doped metamorphic InAlAs/InGaAs high-electron-mobility transistor structures on GaAs substrates

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
4	Gallium arsenides
4	III-V semiconductors
2	Aluminium arsenides
2	Aluminium compounds
2	Experimental study
2	High electron mobility transistors
2	Indium arsenides
2	Indium compounds
2	Interface states
2	Magnetic field effects
2	Magnetoresistance
2	Oscillations
2	Planar doping
2	Quantum wells
2	Shubnikov-de Haas effect
2	Two-dimensional electron gas
1	Asymmetry
1	Beats
1	Double barrier structure
1	Electron density
1	Hall effect
1	Interband transitions
1	Phonon-plasmon interactions
1	Potential well
1	Raman spectra
1	Rashba effect
1	Self consistency
1	Spin-orbit interactions
1	Subband
1	Tunnel effect
1	Weak localisation

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « Z. M. Huang »
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