IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, Z. J. Yang

Z. J. Wang < Z. J. Yang < Z. J. Zhang

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000823 (2011)		Improvement of structural and luminescence properties in InGaN/GaN multiple quantum wells by symmetrical thin low temperature-GaN layers
001947 (2004)		Study of photoluminescence and absorption in phase-separation InGaN films
001971 (2004)		Photoluminescence from InGaN/GaN MQWs on sapphire and membranes fabricated by laser lift-off
001A45 (2004)		An approach to determine the chemical composition in InGaN/GaN multiple quantum wells
001B89 (2003)		InGaN/GaN MQW high brightness LED grown by MOCVD
002406 (1998)		Growth and doping characteristics of InGaN films grown by low pressure MOCVD

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
5	Photoluminescence
4	Gallium nitrides
4	Indium nitrides
4	Ternary compounds
3	Experimental study
3	MOCVD
3	Multiple quantum well
3	Semiconductor materials
3	XRD
2	Chemical composition
2	Gallium nitride
2	III-V semiconductors
2	Indium nitride
2	Luminescence
2	MOVPE method
2	Spectral line shift
2	Thickness
1	Absorption spectra
1	Annealing
1	Atomic force microscopy
1	Binary compound
1	Binary compounds
1	Carrier lifetime
1	Cathodoluminescence
1	Composition effect
1	Compressive stress
1	Deep level
1	Defect density
1	Desorption
1	Digital simulation
1	Doped materials
1	Excitation spectrum
1	Fabrication property relation
1	Gallium
1	Growth mechanism
1	III-V compound
1	Inclusions
1	Indium
1	Inorganic compounds
1	Interfaces
1	Lattice parameters
1	Lift off
1	Light emitting diode
1	Microelectronic fabrication
1	Microstructure
1	Nanostructured materials
1	Optical properties
1	Optoelectronic device
1	Phase separation
1	Quantum dot
1	Quantum dots
1	Quantum wells
1	Quantum yield
1	RBS
1	Radiative recombination
1	Raman spectra
1	Roughness
1	Silicon additions
1	Size effect
1	Stokes shift
1	Strained layer
1	Temperature dependence
1	Temperature effect
1	Ternary compound
1	Thin films
1	Time resolution
1	Time resolved spectra
1	Urbach rule
1	VPE
1	Vegard law
1	X ray diffraction
1	X ray diffractometry
1	Zinc additions

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « Z. J. Yang »
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