IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, Z. G. Xing

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001345 (2007)		Near ultraviolet InGaN/GaN MQWs grown on maskless periodically grooved sapphire substrates fabricated by wet chemical etching
001992 (2004)		Influence of threading dislocations on the properties of InGaN-based multiple quantum wells
001A23 (2004)		Effects of indium doping on the properties of AlAs/GaAs quantum wells and inverted AlGaAs/GaAs two-dimensional electron gas

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Atomic force microscopy
2	Experimental study
2	Gallium nitrides
2	Indium nitrides
2	Multiple quantum well
2	Optical properties
2	Photoluminescence
2	Semiconductor materials
2	Ternary compounds
2	XRD
1	Active layer
1	Adatoms
1	Aluminium arsenides
1	Binary compounds
1	Carrier mobility
1	Chemical etching
1	Dislocations
1	Doping
1	Electrical properties
1	Electroluminescence
1	Gallium arsenides
1	III-V semiconductors
1	Line widths
1	Localization
1	Misfit dislocations
1	Non radiative recombination
1	Planar doping
1	Quantum wells
1	Roughness
1	Surface diffusion
1	Temperature dependence
1	Transmission electron microscopy
1	Two-dimensional electron gas
1	Vapor deposition
1	Wet process

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « Z. G. Xing »
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