IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, Z. D. Fang

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Number of relevant bibliographic references: 5.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
001735 (2005)		Structural and optical properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.5μm
001930 (2004)		The fabrication of self-aligned InAs nanostructures on GaAs(331)A substrates
001977 (2004)		Optical characteristics of InAs quantum dots capped with short period GaAs/InAs superlattices and InGaAs combination layers
001A27 (2004)		Effect of the InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer on 1.3 μm emission self-assembled InAs/GaAs quantum dots
001B51 (2003)		Role of different cap layers tuning the wavelength of self-assembled InAs/GaAs quantum dots

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
5	Indium arsenides
4	Atomic force microscopy
4	Binary compounds
4	Molecular beam epitaxy
4	Photoluminescence
4	Semiconductor materials
3	Experimental study
3	Gallium arsenides
3	Quantum dots
3	Ternary compounds
2	Aluminium arsenides
2	Excited states
2	Inorganic compounds
2	Optical properties
2	Self-assembled layers
1	Anomaly
1	Buffer layer
1	Charge transfer
1	Coatings
1	Coverage rate
1	Crystal growth from vapors
1	Energy-level transitions
1	Growth mechanism
1	III-V semiconductors
1	Island structure
1	Microstructure
1	Nanostructures
1	Optical constants
1	Quantum wires
1	RHEED
1	Radiative transition
1	Self alignment
1	Spectral line shift
1	Step
1	Strained layer
1	Superlattices
1	Surface morphology
1	Surface structure
1	Thickness
1	Tuning
1	X-ray absorption spectra

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « Z. D. Fang »
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