IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, YUMING ZHANG

YUMIN ZHANG < YUMING ZHANG < YUMING ZHOU

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000368 (2012)		The model parameter extraction and simulation for the effects of gamma irradiation on the DC characteristics of InGaP/GaAs single heterojunction bipolar transistors
001083 (2008)		Nitrogen Incorporation Characteristics of 4H-SiC Epitaxial Layer

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
1	Actinides
1	Annealing
1	Antiferromagnetic materials
1	Atomic force microscopy
1	CV characteristic
1	CVD
1	Crystal structure
1	Direct current
1	Doped materials
1	Electrical characteristic
1	Epitaxial layers
1	Experimental study
1	Gallium phosphide
1	Gamma irradiation
1	Heterojunction bipolar transistors
1	Homoepitaxy
1	Impurity density
1	Indium additions
1	Indium phosphide
1	Low pressure
1	Mirrors
1	Nitrogen
1	Optical properties
1	Parameter extraction
1	Quantity ratio
1	Scanning electron microscopy
1	Silicon carbide
1	Single transistor circuit
1	Static model
1	Surface defect
1	Surface morphology
1	Ternary compound
1	Thin films
1	XRD

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « YUMING ZHANG »
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