Auteurs
Analysis
Chine
Racine
Analysis
Chine
Repository
Accueil
Racine
Racine

Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Auteurs » - entrée « YI XUAN »
Attention, ce site est en cours de développement !
Attention, site généré par des moyens informatiques à partir de corpus bruts.
Les informations ne sont donc pas validées.
YI XU < YI XUAN < YI YE  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 1.
Ident.Authors (with country if any)Title
000541 (2012) Experimental Investigation of Border Trap Generation in InGaAs nMOSFETs With Al2O3 Gate Dielectric Under PBTI Stress

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
1Alumina
1Bias temperature instability
1Charge pumping
1Conduction band
1Damaging
1Degradation
1E shape
1Energy density
1Energy gap
1Gallium arsenides
1High density
1Indium arsenides
1MOSFET
1Metal semiconductor field effect transistor
1NMOS technology
1Performance evaluation
1Reliability
1Stress effects
1Ternary compound
1Thermal stress
1n type semiconductor

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis

HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/Author.i -k "YI XUAN" 

HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/Author.i  \
                -Sk "YI XUAN" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/biblio.hfd

Pour mettre un lien sur cette page dans le réseau Wicri

{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    Chine
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    Author.i
   |clé=    YI XUAN
}}
Wicri

This area was generated with Dilib version V0.5.77.
Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024