IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, YANG PAN

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000824 (2011)		Improvement of structural and electrical properties of Cu2O films with InN epilayers
000A56 (2010)		Rapid growth and characterization of InN nanocolumns on InGaN buffer layers at a low ratio of N/In

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Epitaxial layers
2	III-V compound
2	Indium nitride
2	Thin films
1	Arrays
1	Buffer layer
1	Calcium nitride
1	Carrier density
1	Catalysts
1	Copper
1	Copper oxide
1	Crystal structure
1	Electrical properties
1	Electron beam deposition
1	Electron beam evaporation
1	Epitaxy
1	Field emission
1	Gallium nitride
1	Growth mechanism
1	Heteroepitaxy
1	III-V semiconductors
1	Mismatch lattice
1	Molecular beam epitaxy
1	Monocrystals
1	Nanocolumn
1	Nanomaterial synthesis
1	Nanostructures
1	Nucleation
1	Oxidation
1	Scanning electron microscopy
1	Transmission electron microscopy
1	XRD

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « YANG PAN »
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