IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, Y. Y. Li

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000078 (2013)		The effects of injector doping densities on lasing properties of InP-based quantum cascade lasers at 4.3 μm
000A93 (2010)		Magnetoresistance in a nominally undoped InGaN thin film
000D67 (2009)		Precise growth control and characterization of strained AlInAs and GaInAs for quantum cascade lasers by GSMBE
000D84 (2009)		Optimization of AlInGaAs/InGaAs/InAs strain compensated triangular quantum wells grown by gas source molecular beam epitaxy for laser applications in 2.1-2.4 μm range
001368 (2007)		Key issues associated with low threshold current density for InP-based quantum cascade lasers

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
4	Molecular beam epitaxy
3	Doping
3	GSMBE method
3	III-V compound
3	III-V semiconductors
2	Current density
2	Gallium arsenides
2	Growth mechanism
2	Indium arsenides
2	Quantum cascade laser
2	Semiconductor lasers
2	Threshold current
2	XRD
1	Arsenides
1	Crystal structure
1	Electrical conductivity
1	Energy levels
1	Feedback
1	Gallium nitride
1	Heat transfer
1	Indium compounds
1	Indium nitride
1	Indium phosphide
1	Indium phosphides
1	Leakage currents
1	MOCVD
1	Magnetic properties
1	Nanostructured materials
1	Negative magnetoresistance
1	Optimization
1	Phonons
1	Phosphides
1	Photoluminescence
1	Plasmons
1	Quantum wells
1	Semiconductor materials
1	Superlattices
1	Temperature dependence
1	Thickness control
1	Thin films
1	Two-dimensional electron gas
1	Waveguides

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « Y. Y. Li »
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