IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, Y. G. Zhou

Y. G. Zhang < Y. G. Zhou < Y. G. Zhu

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Number of relevant bibliographic references: 3.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
001B71 (2003)		Ohmic contact and interfacial reaction of Ti/Al/Pt/Au metallic multi-layers on n-AlxGa1-xN/GaN heterostructures
001C20 (2003)		Effect of surface treatments on Schottky contact on n-AlxGa1-xN/GaN heterostructures
001C26 (2003)		Designing two-dimensional electron gas in AlGaN/InGaN/GaN heterostructures through the incorporated InGaN layer

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Aluminium nitrides
3	Binary compounds
3	Gallium nitrides
3	Indium nitrides
3	Ternary compounds
2	Gold
2	IV characteristic
2	Modulation doping
2	Platinum
2	Semiconductor materials
1	Aluminium
1	Annealing
1	Band structure
1	Barrier height
1	Carrier density
1	Chemical treatment
1	Conduction bands
1	Confinement
1	Contact resistance
1	Distribution functions
1	Experimental study
1	Heterostructures
1	Interface reaction
1	Interfacial layer
1	Metal-semiconductor contacts
1	Multilayers
1	Ohmic contacts
1	Poisson equation
1	Polarization
1	Schottky barriers
1	Schroedinger equation
1	Self consistency
1	Solid-solid interfaces
1	Strained layer
1	Surface treatments
1	Theoretical study
1	Titanium
1	Two-dimensional electron gas
1	X-ray photoelectron spectra
1	XRD

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « Y. G. Zhou »
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