IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, Y. G. Cao

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000D36 (2009)		Spectroscopic ellipsometry study of In2O3 thin films
001800 (2005)		In situ revelation of a zinc-blende InN wetting layer during Stranski-Krastanov growth on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy
001A54 (2003-12-22)		InN island shape and its dependence on growth condition of molecular-beam epitaxy
001A66 (2003-10-15)		Scaling of three-dimensional InN islands grown on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Island structure
2	Crystal structure
2	Experimental study
2	III-V semiconductors
2	Indium compounds
2	Molecular beam epitaxy
2	Semiconductor epitaxial layers
2	Wetting
1	Allowed transition
1	Ambient temperature
1	Amorphous material
1	Binary compounds
1	Blende structure
1	Cathode sputtering
1	Cubic lattices
1	Double layers
1	Effective medium model
1	Electron diffraction
1	Energy gap
1	Extinction index
1	Gallium compounds
1	Growth mechanism
1	Indium nitrides
1	Indium oxide
1	Nucleation
1	Optical modes
1	Optical phonons
1	Optical transition
1	Phonon mode
1	Polycrystals
1	Refractive index
1	Selenium
1	Semiconductor growth
1	Spectral index
1	Spectroscopic ellipsometry
1	Stranski Krastanow growth
1	Surface layers
1	Thickness
1	Thin films
1	Transmission electron microscopy
1	Voids
1	Wide band gap semiconductors

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « Y. G. Cao »
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