IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, XIUXUN HAN

XIURU XU < XIUXUN HAN < XIUYING WANG

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Number of relevant bibliographic references: 4.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
001674 (2006)		Crack control in GaN grown on silicon (111) using in doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
001952 (2004)		Structural and optical properties of 3D growth multilayer InGaN/GaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition
001A29 (2004)		Dislocation scattering in a two-dimensional electron gas of an AlxGa1-xN/GaN heterostructure
001A34 (2004)		Crack-free InAlGaN quaternary alloy films grown on Si(1 1 1) substrate by metalorganic chemical vapor deposition

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
4	Gallium nitrides
3	Aluminium nitrides
3	Experimental study
3	Indium nitrides
3	MOCVD
2	Binary compounds
2	CVD
2	Crystal growth from vapors
2	III-V semiconductors
2	Photoluminescence
2	Ternary compounds
2	XRD
1	Activation energy
1	Atomic force microscopy
1	Band structure
1	Buffer layer
1	Carrier mobility
1	Charge carriers
1	Charge transfer
1	Compressive stress
1	Dislocations
1	Doped materials
1	Electron-defect interactions
1	Energy dispersive spectroscopy
1	Heterostructures
1	Indium additions
1	Interlayers
1	Line widths
1	Low pressure
1	Monocrystals
1	Morphology
1	Multilayers
1	Optical materials
1	Optical microscopy
1	Optical properties
1	Passivation
1	Poisson equation
1	Potential well
1	Quantity ratio
1	Quantum dots
1	Quaternary compounds
1	RBS
1	Schroedinger equation
1	Self consistency
1	Semiconductor materials
1	Silicon
1	Square-well potential
1	Stacking sequence
1	Stress relaxation
1	Subband
1	Temperature dependence
1	Tensile stress
1	Thermal stresses
1	Thin films
1	Two-dimensional electron gas
1	Wave functions

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « XIUXUN HAN »
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